Bài giảng Mạch khuếch đại Tranzito

ng ѭu điểm quan trọng của tầng góp chung, dùng để làm tầng phối hợp với nguồn tín hiệu có điện trӣ trong lớn. Việc xác định hệ số khuếch đҥi dòng Ki cũng theo phѭơng pháp giống nhѭ sơ đồ EC. Công thức (1-38) đúng với tầng CC. Vì dòng It đây chỉ là một phần của dòng IE nên biểu thức (1-39) có dҥng: t tE Bt R R//R .I).1(I β+= (1-49) Và xét đến (1-39) ta có: t tE V V Vt R R//R . r R ).1.(II β+= (1-50) Hệ số khuếch đҥi dòng trong sơ đồ CC: t tE V V i R R//R . r R ).1(K β+= (1-51) nghĩa là nó phụ thuộc vào quan hệ RV và rV, RE và Rt. Giҧ thiết RV=rV thì t tE i R R//R ).1(K β+= (1-52) Khi RE = RC và điện trӣ Rt giống nhau thì hệ số khuếch đҥi dßng ®iÖn trong sơ đồ phát chung và góp chung gần bằng nhau. Hệ số khuếch đҥi điện áp tính theo (1-43) ta có: Vn tE u RR R//R ).1(K +β+= (1-53) Khi VR >> nR và gần đúng RV )RR).(1( tE +β+≈ thì Ku≈ 1. Nhѭ vậy tầng khuếch đҥi góp chung để khuếch đҥi công suất tín hiệu trong khi giữ nguyên trị số điện áp của nó. Vì Ku=1 nên hệ số khuếch đҥi Kp xấp xỉ bằng Ki về trị số. Điện trӣ ra của tầng CC: Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 23 EE 21nB EEr r//R)1 R//R//Rr r//(RR =β+++= (1-54) Điện trӣ ra của tầng nhỏ cỡ (1 ÷ 50)Ω. Nó đѭợc dùng để phối hợp mҥch ra của tầng khuếch đҥi với tҧi có điện trӣ nhỏ, khi đó tầng góp chung dùng làm tầng ra của bộ khuếch đҥi có vai trò nhѭ một tầng khuếch đҥi công suất đơn chế độ A không có biến áp ra. 1.4.3 Tҫng khuӃch đҥi gӕc chung (BC). Hình (1-16a) là sơ đồ một tầng khuếch đҥi gốc chung. Các phần tử R1, R2, RE dùng để xác định chế độ tĩnh IE. Các phần tử còn lҥi cũng có chức nĕng giống sơ đồ EC. Để khҧo sát các tham số của tầng khuếch đҥi BC theo dòng xoay chiều ta sử dụng sơ đồ tѭơng đѭơng hình 1-16b. EV RR = //[ BE rr ).1( α−+ ] (1-55) Từ (1-55) ta thấy điện trӣ vào của tầng đѭợc xác định chủ yếu bằng điện trӣ rE vào khoҧng (10÷50)Ω. Điện trӣ vào nhỏ là nhѭợc điểm cơ bҧn của tầng BC vì tầng đó sẽ là tҧi lớn đối với nguồn tín hiệu vào. Đối với thành phần xoay chiều thì hệ số khuếch đҥi dòng điện của tranzito là: E C I I=α và α <1. Hệ số khuếch đҥi dòng của tầng là: t tC i R R//R .K α= (1-56) Hệ số khuếch đҥi điện áp: Vn tC u RR R//R .K +α= (1-57) Từ (1-57) ta thấy khi giҧm điện trӣ trong của nguồn tín hiệu vào sẽ làm tĕng hệ số khuếch đҥi điện áp. Điện trӣ ra của tầng BC là: IE IV CP2 CB IB rE ∼ Ur C IC +EC R1 RC R En uV RE Rt R2 IB T a. << ∼ IV b. α. IC rC RE Rn RC rB Rt Ur I1 B C E U Hình 1-16: a. Sѫ đӗ khuyӃch đҥi BC b. Sѫ đӗ thay thӃ Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 24 CCCr RErRR ≈= )(// (1-58) Cần chú ý rằng đặc tuyến tĩnh của tranzito mắc BC có độ tuyến tính lớn nên tranzito có thể dùng với điện áp cực góp lớn hơn sơ đồ EC. Chính vì vậy tầng khuếch đҥi BC đѭợc dùng khi cần có điện áp ӣ đầu ra lớn. 1.5. TҪNG KHUӂCH ĐҤI ĐҦO PHA Tầng đҧo pha dùng để khuếch đҥi tín hiệu và cho ra hai tín hiệu có biên độ bằng nhau nhѭng pha lệch nhau 1800 (hay ngѭợc pha nhau). Sơ đồ tầng khuếch đҥi đҧo pha chia tҧi vẽ ӣ hình 1-17a. Tín hiệu lấy ra từ cực phát và cực góp của tranzito. Tín hiệu ra 2rU lấy từ cực phát đồng pha với tín hiệuvào UV còn tín hiệu ra 1rU lấy từ cực góp ngѭợc pha với tín hiệu vào. Dҥng tín hiệu vẽ trên hình 1-17b, c, d. Ta sẽ khҧo sát chỉ tiêu của tầng tính tѭơng tự nhѭ tầng CC. 21V R//RR = //[ )R//Rr).(1(r 2tEEB +β++ ] (1-59) hoặc tính gần đúng: )R//Rr).(1(R 2tEEV +β+≈ (1-60) Hệ số khuếch đҥi điện áp ӣ đầu ra 1 xác định tѭơng tự nhѭ sơ đồ EC, còn ӣ đầu ra 2 xác định tѭơng tự nhѭ sơ đồ CC. Vn 1tC u RR )R//R( .K 1 +β≈ (1-61) Vn 2tE u RR )R//R( ).1(K 2 +β+≈ (1-62) UC0 CP2 a) UV t 0 Hình 1-17: a) Sѫ đӗ tҫng đҧo pha b) c) d) Biểu đӗ thӡi gian R1 RC Rn R2 RE Rt RtCP3 CP1 En +EC Ur1 Ur2 UV T _ ∼ Ur2 0 t 2 ˆ rU Ur t 0 UC0 c) d) b) 1 ˆ rU Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 25 Nếu chọn RC=RE và có 2t1t RR = thì giá trị hệ số khuếch đҥi 1uK gần đúng bằng 2u K và sơ đồ này còn gọi là mҥch đҧo pha chia tҧi. Tầng đҧo pha cũng có thể dùng biến áp, sơ đồ nguyên lý nhѭ hình 1-18. Hai tín hiệu lấy ra từ hai nửa cuộn thứ cấp có pha lệch nhau 1800 so với điểm 0. Khi hai nửa cuộn thứ cấp có số vòng bằng nhau thì hai điện áp ra sẽ bằng nhau. Mҥch này có hệ số khuếch đҥi lớn, dễ dàng thay đổi cực tính của điện áp ra và còn có tác dụng phối hợp trӣ kháng nhѭng cồng kềnh, nặng nề và méo lớn nên hiện nay ít đѭợc dùng. 1.6. CÁC SѪ ĐӖ CѪ BҦN DÙNG TRANZITO TRѬӠNG(FET). Nguyên lý xây dựng tầng khuếch đҥi dùng tranzito trѭӡng cũng giống nhѭ tầng dùng tranzito lѭỡng cực. Điểm khác nhau là tranzito trѭӡng điều khiển bằng điện áp. Khi chọn chế độ tĩnh của tầng dùng tranzito trѭӡng cần đѭa tới đầu vào (cực cửa G) một điện áp một chiều có giá trị và cực tính cần thiết. 1.6.1. Tҫng khuӃch đҥi cӵc nguӗn chung (SC) Sơ đồ khuếch đҥi SC dùng MOSFET có kênh n đặt sẵn cho trên hình 1-19a. Tҧi RD đѭợc mắc vào cực máng D, các điện trӣ R1, RG, RS dùng để xác lập UGS0 ӣ chế độ tĩnh. Điện trӣ RS sẽ tҥo ra hồi tiếp âm dòng điện một chiều để ổn định chế độ tĩnh khi thay đổi nhiệt độ và do tính tҧn mҥn của tham số tranzito. Tụ CS dùng để khử hồi tiếp âm dòng xoay chiều. Tụ CP1 để ghép tầng với nguồn tín hiệu vào. Nguyên tắc chọn chế độ tĩnh cũng giống nhѭ sơ đồ tranzito lѭỡng cực hình 1-12. Công thức (1-24) và (1-25) dùng để chọn chế độ tĩnh, ӣ đây có thể viết dѭới dҥng: DSr0DS UUU Δ+> Λ (1-63) D0D II Λ> (1-64) Điểm làm việc tĩnh P dịch chuyển theo đѭӡng tҧi một chiều sẽ qua điểm A và B (hình 1-19b). Đối với điểm A: IDS = 0, UDS = +ED, đối với điểm B: UDS= 0, ID = ED/(RD+RS). Điện trӣ tҧi xoay chiều xác định theo Rt∼= RD//Rt. Trong bộ khuếch đҥi nhiều tầng thì tҧi của tầng ID +E PDMax D IDMax Hình 1-18: Sѫ đӗ tҫng đҧo pha dùng biӃn áp CP T R1 L1 Rn R2 RE CE En +EC UV _ ∼ Ur1 Ura2 L2 Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 26 trѭớc chính là mҥch vào của tầng sau có điện trӣ vào RV đủ lớn. Trong những trѭӡng hợp nhѭ vậy thì tҧi xoay chiều của tầng xác định chủ yếu bằng điện trӣ RD đѭợc chọn tối thiểu cũng nhỏ hơn RV một bậc nữa. Chính vì vậy đối với tầng tiền khuếch đҥi thì độ dốc của đѭӡng tҧi xoay chiều (đѭӡng C-D) không khác lắm so với đѭӡng tҧi một chiều và trong nhiều trѭӡng hợp ngѭӡi ta coi chúng nhѭ là một đѭӡng. Trong chế độ tĩnh: )RR(IEU SD0DD0DS +−= (1-65) trong đó: ID0 là dòng máng tĩnh 0DSU là điện áp cực máng - nguồn tĩnh. Điện áp 0GSU là tham số của đặc tuyến ra tĩnh đi qua điểm P (hình 1-19b). Dựa vào đặc tuyến của FET, ta thấy ӣ chế độ tĩnh điện áp cực G có thể có cực tính dѭơng hoặc âm đối với cực nguồn và thậm chí có thể bằng không. Khҧo sát trѭӡng hợp 0U 0GS < Điện trӣ RS và RG để xác định điện áp 0U 0GS < trong chế độ tĩnh. Trị số và cực tính của điện áp trên điện trӣ RS là do dòng điện IS0=ID0 chҧy qua nó quyết định, điện trӣ RS đѭợc xác định bӣi: 0 0 D GS S I U R = (1-66) Điện trӣ RG để dẫn điện áp 0GSU lấy trên RS lên cực cửa G của FET. Điện trӣ RG phҧi chọn nhỏ hơn điện trӣ vào. Điều này rất cần thiết để loҥi trừ ҧnh hѭӣng của tính không Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 27 ổn định theo nhiệt độ và tính tҧn mҥn của các tham số mҥch vào đến điện trӣ vào của tầng. Trị số RS thѭӡng chọn từ (1÷5)MΩ. Ngoài việc đҧm bҧo điện áp 0GSU yêu cầu, điện trӣ RS còn tҥo ra hồi tiếp âm dòng điện một chiều trong tầng, ngĕn cҧn sự thay đổi dòng ID0 do tác dụng của nhiệt độ và tính tҧn mҥn tham số của tranzito và vì thế ổn định chế độ tĩnh của tầng. Để tĕng tính ổn định thì cần tĕng RS nhѭng phҧi bҧo đҧm 0GSU . Trong trѭӡng hợp này phҧi bù điện áp 0SU bằng cách cung cấp cho cực cửa điện áp UG0 qua điện trӣ R1. 1 0000 .. RR R ERIUUU G G DSDGSGS +−=−= (1-67) G GSS GD R UU RE R −−= 001 . (1-68) Điện áp nguồn cung cấp: DDSDSD RIUUE .000 ++= (1-69) Trị số RD có ҧnh hѭӣng đến đặc tính tần số của tầng, nó đѭợc tính theo tần số trên của giҧi tần. Với quan điểm mӣ rộng dҧi tần thì phҧi giҧm RD. Sau khi đã chọn điện trӣ trong của tranzito ri, thì ta có thể chọn RD=(0,05÷0,15).ri. Việc chọn điện áp 0SU cũng theo những điều kiện giống nhѭ điện áp UE0 trong tầng EC, nghĩa là tĕng điện áp 0SU sẽ làm tĕng độ ổn định của điểm làm việc tĩnh do RS tĕng, tuy nhiên khi đó cần tĕng ED. Vì thế 0SU thѭӡng chọn trong khoҧng (0,1÷0,3)ED. Cũng tѭơng tự (1-30) ta có: 9,07,0 R.IU E D0D0DD ÷+= (1-70) Khi 0GSU ≥ 0 phҧi mắc điện trӣ RS để đҥt yêu cầu về độ ổn định chế độ tĩnh. Lúc đó bắt buộc phҧi mắc R1. Chọn các phần tử dựa vào công thức (1-67) đến (1-70), khi đó (1-67), (1-68) phҧi cho 0U 0GS = hoặc là thay đổi dấu trѭớc điện áp 0GSU .Chế độ GSOU >0 là chế độ điển hình của MOSFET có kênh cҧm ứng loҥi n.Vì thế nếu thực hiện đổi dấu trѭớc GSOU trong công thức (1-67), (1-68) có thể dùng chúng để tính mҥch thiên áp R1, RG của tầng nguồn chung. Chọn loҥi FET phҧi chú ý đến các tham số tѭơng tự nhѭ trong tầng EC, phҧi tính đến dòng máng cực đҥi IDmax, điện áp máng cực đҥi DSU max, và công suất tiêu tán cực đҥi trong tranzito PDmax. Giống nhѭ sơ đồ EC dùng tranzito lѭỡng cực, tầng nguồn chung cũng làm đҧo pha tín hiệu vào. Ví dụ đặt vào đầu vào nửa chu kỳ điện áp dѭơng, sẽ làm tĕng dòng máng và giҧm điện áp máng; ӣ đầu ra sẽ nhận đѭợc nửa chu kỳ điện áp cực tính âm. Dѭới đây ta sẽ phân tích tầng khuếch đҥi về mặt xoay chiều. Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 28 Sơ đồ tѭơng đѭơng thay thế tầng SC vẽ trên hình 1-20a có tính đến điện dung giữa các điện cực của tranzito. Sơ đồ thay thế dựa trên cơ sӣ sử dụng nguồn dòng ӣ mҥch ra. Điện trӣ RD, Rt mắc song song ӣ mҥch ra xác định tҧi xoay chiều Rt~=RD//Rt. Điện trӣ R1, RG cũng đѭợc mắc song song. Vì điện trӣ vào thѭӡng lớn hơn điện trӣ nR nhiều, nên điện áp vào của tầng coi nhѭ bằng E n Tụ nối tầng 1pC , 2pC và tụ CS khá lớn nên điện trӣ xoay chiều coi nhѭ bằng không.Vì thế trong sơ đồ thay thế không vẽ những tụ đó. Hệ số khuyếch đҥi điện áp ӣ tầng tần số trung bình : )//.( )//.(. ~ ~ ti V tiV V t u RrSU RrUS U U K −=−== (1-71) Hay là: Ku= - ~ti ~ti Rr R.r.S + (1-72) Trị số iSr gọi là hệ số khuyếch đҥi tĩnh μ của FET.Thay iSr=μ và ta có: ~ ~. ti t u Rr R K +−= μ (1-73) Dựa vào (1-73) có thể vẽ sơ đồ thay thế tầng SC với nguồn điện áp vU.μ (hình 1-20b). Trong trѭӡng hợp nếu tầng SC là tầng khuyếch đҥi trong bộ khuyếch đҥi nhiều tầng thì DVD~t RR//RR == .Nếu nhѭ tính iD rR << thì hệ số khuyếch đҥi điện áp của tầng đѭợc tính: DU R.SK −= (1-74) Điện trӣ vào của tầng SC là: G1V R//RR = (1-75) Điện trӣ ra của tầng: DiDr Rr//RR ≈= (1-76) Hình 1-20: Sѫ đӗ tѭѫng đѭѫng thay thӃ tҫng S chung CG a) ∼ CG CGS CDS Rt RD ri SU R1 // RG UV Ur b) ∼ CGS CDS Rt RD ri μUV R1// RG UV Ur Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 29 Khi chuyển sang miền tần số cao thì phҧi chú ý đến điện dung vào và ra của tầng, nghĩa là cần chú ý đến điện dung giữa các điện cực GDGS C,C của tranzito, cũng nhѭ điện dung lắp ráp mҥch vào LC (Điện dung của linh kiện và dây dẫn mҥch vào đối với cực âm của nguồn cung cấp). Ӣ tần số cao những điện dung ký sinh kể trên sẽ tҥo nên thành phần điện kháng của dòng điện mҥch vào CLCGDCGSCv IIII ++= (1-77) Dòng ICGS, ICL xác định bằng điện áp vào UV, còn dòng ICGD xác định bằng dòng cực máng - cửa. Vì điện áp cực máng ngѭợc pha với điện áp vào, nên điện áp giữa cực cửa và cực máng sẽ bằng: ( ) vurv uK1uu +=+ Dòng điện vào điện dung của tầng: I CV = j.ω.CGS.uv + j.ωCGD.(1+Ku).UV+j.ω.CL.UV hay I CV ≈ j.ω.UV[CGS+(1+Ku).CGD+CL]=j.ω.CV.UV ӣ đây CV là điện dung vào của tầng: CV=CGS+(1+Ku).CGD+CL (1-78) Điện dung ra của tầng phụ thuộc vào điện dung giữa các điện cực ӣ khoҧng máng - nguồn và máng - cửa, cũng nhѭ điện dung lắp ráp mҥch ra. Tính điện dung ra cũng theo phѭơng pháp nhѭ đã tính điện dung vào, có kết quҧ: SGD u u DSr CC.K K1 CC +++= (1-79) 1.6.2. Tҫng khuӃch đҥi cӵc máng chung (DC) Sơ đồ tầng khuếch đҥi cực máng chung gần giống sơ đồ CC. Hình 1-21a vẽ sơ đồ DC dùng FET có kênh đặt sẵn. Điện trӣ R1, RG cùng RS dùng để xác định chế độ làm việc tĩnh của tranzito. Việc chọn và tính toán để đҧm bҧo chế độ tĩnh đѭợc tiến hành tѭơng tự nhѭ tầng SC. Tҧi một chiều của tầng là RS, còn tҧi xoay chiều là: Rt∼=RS//Rt. UGS RG CGD b) ∼ CGS μ+1 ri Ri // RG UV Rt RS Ur rU1 μ+μ Rn + ED En CP1 CP2 UV UG US0 Rt RS ∼ a) R1 _ Hình 1-21: Tҫng khuӃch đҥi cӵc máng chung a) Sơ đồ nguyên lý; b) Sơ đồ tѭơng đѭơng. Ur Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 30 Đối với tầng DC điện áp ra tҧi trùng pha với điện áp vào GSVt UUU −= (1-80) Theo sơ đồ thay thế thì Ut lҥi là hàm số của UGS tác dụng lên đầu vào của tranzito. )//(. ~tiGSt RrUSU = hay )//.( ~ti t GS RrS U U = (1-81) Hệ số khuếch đҥi điện áp của tầng tính theo: )R//r.(S1 )R//r.(S U U K ~ti ~ti V t u +== (1-82) Vì ri >>Rt~ nên: ~t ~t R.S1 R.S Ku += (1-83) Hệ số khuếch đҥi Ku phụ thuộc vào độ hỗ dẫn của tranzito và tҧi xoay chiều Rt~ của tầng. Hệ số khuếch đҥi tiến tới 1 khi tĕng S và Rt~. Vì vậy đối với tầng DC nên dùng tranzito có độ hỗ dẫn lớn. Để tìm đѭợc các tham số tѭơng đѭơng của sơ đồ thay thế ta sẽ biến đổi công thức (1- 82) sau khi thay vào nó S=μ/ri và khai triển: it ti ti rR Rr Rr += ~ ~~ .// Sau khi biến đổi ta có: ~ ~ ).1( . ti t u Rr R K μμ++= (1-84) Chia cҧ tử số và mẫu số vế phҧi công thức (1-84) cho μ+1 và thay Ku=Ut/UV, ta có: ~ ~ )1/( .. 1 ti t Vt Rr R UU +++= μμμ (1-85) Dựa vào (1-85) ta sẽ đѭợc sơ đồ thay thế của tầng hình 1-21b. ӣ mҥch ra của sơ đồ thay thế có nguồn điện áp tѭơng đѭơng VU. 1+μμ Với điện trӣ tѭơng đѭơng )1/(ri μ+ . Mҥch vào của sơ đồ thay thế hình 1-21b gồm ba phần tử giống nhau nhѭ sơ đồ thay thế SC. Dựa vào sơ đồ hình 1-21b xác định đѭợc điện trӣ ra của tầng DC Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 31 rR =RS // S 1 1 1 ≈μ+ (1-86) Điện trӣ ra của tầng DC nhỏ hơn tầng SC, và vào khoҧng (100÷3000) Ω . Vì điện áp giữa cực cửa và cực nguồn của tranzito trong sơ đồ lặp lҥi cực nguồn bằng rV UU − nên dòng điện vào bҧn thân của tranzito sẽ nhỏ hơn trong sơ đồ SC, và độ không ổn định nhiệt độ của điện trӣ giữa cửa và nguồn nhỏ. Do đó cho phép ta dùng R1, RG lớn. Vì vậy tầng DC có điện trӣ vào RV lớn (tới vài MΩ) hơn tầng SC. Điện dung vào của tầng DC sẽ nhỏ hơn của tầng SC. Đối với tầng DC thì cần thiết phҧi tính đến thành phần dòng điện dung vào mҥch cửa - máng và cửa - nguồn của tranzito, cũng nhѭ thành phần dòng điện dung lắp ráp ӣ mҥch vào của tầng. Vì điện áp cực máng không đổi, thành phần dòng điện dung CGD và C1 đѭợc xác định bằng điện áp vào. Thành phần dòng điện dung CGS phụ thuộc vào điện áp VutVGS U).K1(UUU −=−= Dòng vào tổng là: VCV U..jI ω= [ LGSGD CKuCC +−+ )1.( ] từ đó: LGSGDV CKuCCC +−+= )1.( (1-87) Nhѭ vậy điện dung vào của tầng DC nhỏ hơn của tầng SC. Từ (1-87) ta thấy nếu Ku ≈1 trong tầng DC thì ҧnh hѭӣng của điện dung CSG đến điện dung vào sẽ giҧm nhiều. 1.7. CÁC PHѬѪNG PHÁP GHÉP TҪNG TRONG BӜ KHUӂCH ĐҤI Một bộ khuếch đҥi thѭӡng gồm nhiều tầng mắc nối tiếp nhau nhѭ hình 1-22 (vì thực tế một tầng khuếch đҥi không đҧm bҧo đủ hệ số khuếch đҥi cần thiết). ӣ đây tín hiệu ra của tầng đầu hay tầng trung gian bất kỳ sẽ là tín hiệu vào cho tầng sau nó và tҧi của một tầng là điện trӣ vào của tầng sau nó. Điện trӣ vào và ra của bộ khuếch đҥi sẽ đѭợc tính theo tầng đầu và tầng cuối. Theo hệ thức (1-88) hệ số khuếch đҥi của bộ khuếch đҥi nhiều tầng bằng tích hệ số khuếch đҥi của mỗi tầng (tính theo đơn vị số lần) hay bằng tổng của chúng (tính theo đơn vị dB) Hình 1-22: Sơ đồ khối bộ khuếch đҥi nhiều tầng UV(N-Ur 2 Ur1=UV2 Ur N Rn Rt 1 2 N-1 N ∼ UV 1 En Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 32 )(...)()( ........ 1 21 2 21 dBKdBKdBK KKK U U U U E U E U K N N uuu uuu VN rN V r n ra n t u ++= === (1-88) Việc ghép giữa các tầng có thể dùng tụ điện, biến áp hay ghép trực tiếp. 1.7.1. Ghép tҫng bằng tө điӋn Bộ khuếch đҥi nhiều tầng ghép tụ điện vẽ trên hình 1-23. Các điều đã phân tích trong mục 1.6, đúng cho một tầng trung gian bất kỳ nếu thay Rt cho RV. Số tầng trong bộ khuếch đҥi nhiều tầng xác định theo công thức (1-88) xuất phát từ hệ số khuếch đҥi yêu cầu. Việc tính toán các tầng (chọn và đҧm bҧo chế độ làm việc tĩnh, tính toán chế độ xoay chiều) phҧi theo thứ tự từ tầng cuối cùng trӣ về tầng đầu tiên. Trѭớc hết ta tính tầng cuối cùng. Tầng này phҧi đҧm bҧo đѭa ra tҧi Rt công suất tín hiệu yêu cầu. Dựa vào hệ số khuếch đҥi tầng cuối, ta xác định các tham số tín hiệu vào của nó. Và đó chính là số liệu ban đầu để tính tầng trѭớc cuối, và tiếp tục cho đến tầng đầu tiên của bộ khuếch đҥi. Đầu tiên ta tính ӣ tần số trung bình f0, bỏ qua ҧnh hѭӣng của tụ điện trong bộ khuếch đҥi và không tính đến sự phụ thuộc của các tham số của tranzito vào tần số. Trong trѭӡng hợp cần thiết phҧi chú ý đến đặc tính của tranzito và ҧnh hѭӣng của tụ điện ӣ biên tần của tín hiệu cần khuếch đҥi, điều này sẽ làm cho điện áp đầu ra của bộ khuếch đҥi thay đổi cҧ biên độ lẫn pha khi tần số tín hiệu vào thay đổi.ӣ miền tần số thấp, khi tҧi thuần trӣ thì những sự phụ thuộc kể trên là do tụ điện trong sơ đồ quyết định, còn ӣ miền tần số cao thì chủ yếu là do các tham số của tranzito quyết định. Trong thực tế ngѭӡi ta có thể nghiên cứu ҧnh hѭӣng của các yếu tố trên một cách độc lập ӣ hai miền tần số thấp và cao. Dѭới đây ta xét đặc điểm công tác của bộ khuếch đҥi ӣ miền tần số thấp. Trong (1-4) khi tính hệ số khuếch đҥi của tầng đơn đã giҧ thiết điện trӣ xoay chiều của tụ điện bằng không. Những giҧ thiết nhѭ vậy chỉ đúng ӣ tần số trung bình. Khi tần số giҧm thì độ dẫn điện của các tụ nối tầng sẽ giҧm. Do đó có hҥ áp trên tụ nên điện áp của nguồn tín hiệu đặt vào tầng đầu tiên hay điện áp ra tầng trѭớc đặt vào tầng sau sẽ bị giҧm. R2 R1 R3 R5 R7 R9 R11 Rn R2 R4 R6 R8 R10 R12 CP1 CP2 CP3 CE1 CE2 CE3 T1 T2 T3 C2 +EC Ur UV En ~ Hì 1-23: Sѫ đӗ bӝ khuӃch đҥi nhiӅu tҫng ghép điӋn dung. Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 33 Hҥ áp trên tụ sẽ làm giҧm biên độ tín hiệu ӣ đầu ra mỗi tầng của bộ khuếch đҥi nói chung tức là làm giҧm hệ số khuếch đҥi ӣ miền tần số thấp (hình 1-24). Ҧnh hѭӣng của tụ nối tầng thể hiện rất rõ trong bộ khuếch đҥi ghép tụ ӣ chỗ hệ số khuếch đҥi Ku→ 0 khi f→ 0. Nhѭ vậy là trị số của tụ nối tầng có ҧnh hѭӣng đến hệ số khuếch đҥi ӣ miền tần thấp. Tụ CE cũng ҧnh hѭӣng đến hệ số khuếch đҥi ӣ miền tần thấp. Vì khi tần số giҧm sẽ làm giҧm tác dụng rẽ mҥch của tụ đối với điện trӣ RE và do đó làm tĕng mức độ hồi tiếp âm dòng xoay chiều trên RE và do đó làm giҧm hệ số khuếch đҥi. Việc giҧm môđun hệ số khuếch đҥi ӣ tần số thấp Kt đѭợc đặc trѭng bằng hệ số méo tần số thấp của bộ khuếch đҥi. t t K K M 0= đó chính là tích hệ số méo tần số của mỗi tụ trong bộ khuếch đҥi. N21 tttt M....M.MM = (1-89) Hệ số méo tần số tính theo: 2) . 1 (1 tt tM τω+= (1-90) Đối với tụ CP1 hình 1-88 thì hằng số thӡi gian )RR.(C 1Vn1P +=τ trong đó nR là điện trӣ của nguồn tín hiệu vào, 1VR là điện trӣ vào của tầng đầu tiên. Tѭơng tự ta sẽ xác định đѭợc hằng số thӡi gian τ cho các tụ khác trong sơ đồ. Tần số thấp nhất của giҧi thông sẽ đѭợc chọn làm số liệu ban đầu khi tính bộ khuếch đҥi ӣ vùng tần số thấp. Hệ số méo tần số ứng với tần số thấp của giҧi thông có giá trị tuỳ thuộc vào nhiệm vụ của bộ khuếch đҥi. Ví dụ đối với bộ khuếch đҥi âm thanh thѭӡng chọn bằng 2 . Nhѭ trên đã giҧ thiết, ӣ miền tần số trung bình các tụ điện không gây ҧnh hѭӣng gì và sự dịch pha của tín hiệu đầu ra của bộ khuếch đҥi đối với tín hiệu đầu vào sẽ là nπ, ӣ đây n là số tầng khuếch đҥi làm đҧo pha tín hiệu. a) b) Hình 1-24: a) Dҥng tổng quát đặc tuyến biên độ tần số của bộ khuếch đҥi ghép điện dung; b) ҧnh hѭӣng của tụ nối tầng đến đặc tuyến ӣ tần thấp f Dҧi tần trung bình 1 UO M K KUO ft fC f 0 Dҧi thông KU ft f't f''t KU0 C''P > CP' > CP t UO M K Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 34 Ӣ miền tần số thấp vì trong mҥch có tụ điện nên dòng điện nhanh pha hơn so với điện áp. Nhѭ vậy sự dịch pha của điện áp ra bộ khuếch đҥi so với điện áp vào ӣ miền tần số thấp có đặc tính vѭợt trѭớc. Góc dịch pha của bộ khuếch đҥi bằng tổng góc dịch pha của mỗi tụ, và góc dịch pha của mỗi tụ là: tt t . 1 acrtg τω=ϕ . (1-91) Đặc tuyến biên độ tần số và pha tần số của bộ khuếch đҥi ӣ miền tần thấp vẽ trên hình 1-25. Đѭӡng nét liền là đặc tuyến xét khi ҧnh hѭӣng của một tụ, còn đѭӡng đứt nét là đặc tuyến xét khi ҧnh hѭӣng của tất cҧ các tụ trong bộ khuếch đҥi. Đặc điểm công tác của bộ khuếch đҥi ӣ miền tần số cao là sự phụ thuộc hệ số khuếch đҥi β của tranzito vào tần số và sự tồn tҥi điện dung mặt ghép góp CCE. Những nhân tố này ҧnh hѭӣng đến đặc tuyến tần số của bộ khuếch đҥi ӣ miền tần cao. ӣ miền tần cao sự giҧm môđun hệ số β của tranzito cũng nhѭ tác dụng rẽ mҥch của điện dung CCE làm giҧm hệ số khuếch đҥi. Hệ số méo ӣ tần số cao xác định theo công thức: 2 CCC ).(1M τω+= (1-92) ӣ đây Cτ là hằng số thӡi gian tѭơng đѭơng của tầng ӣ miền tần số cao. Góc dịch pha do một tầng khuếch đҥi gây ra là: CCC arctg τωϕ .−= (1-93) Đặc tuyến biên độ tần số và pha tần số ӣ miền tần cao ӣ hình 1-26 Trong bộ khuếch đҥi có nhiều tầng thì: méo ӣ tần số cao bằng tích độ méo của các tầng, còn méo pha bằng tổng méo phacủa từng tầng Tức là: CnCCC MMMM ..... 21= (1-94) CnCCC ϕϕϕϕ +++= ...21 (1-95) KU C UO1 M K KU K1U0 f f 0 0 ϕC -π/4 -π/2 a) b) Hình 1-26: ҧnh hѭӣng tính chất tần số củaTranzito đến đặc tuyến a) Biên độ -tần số; b) Pha-tần số. Hình 1-25: Ҧnh hѭӣng của tụ nối tầng đến đặc tuyến π/2 π/4 ft 0 2 KU O KU O ϕt f f a) b) 0 Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 35 1.7.2. Ghép bằng biӃn áp Hình 1-27 là sơ đồ bộ khuếch đҥi ghép bằng biến áp. Cuộn sơ cấp W1 mắc vào cực góp T1, cuộn thứ cấp W2 mắc vào cực gốc T2 qua tụ CP2. Ghép tầng bằng biến áp cách ly điện áp một chiều giữa các tầng mà còn làm tĕng hệ số khuếch đҥi chung về điện áp hay dòng điện tuỳ thuộc vào biến áp tĕng hay giҧm áp. Ѭu điểm của mҥch này là điện áp nguồn cung cấp cho cực góp của tranzito lớn vì điện áp một chiều cuộn dây bé, do đó cho phép nguồn có điện áp thấp. Ngoài ra tầng ghép biến áp dễ dàng thực hiện phối hợp trӣ kháng và thay đổi cực tính điện áp tín hiệu trên các cuộn dây. Tuy nhiên nó có nhѭợc điểm là đặc tuyến tần số không bằng phẳng trong giҧi tần. Kết cấu mҥch nặng nề, cồng kềnh, hѭ hỏng sửa chữa thay thế phức tҥp. 1.7.3. Mҥch ghép trӵc tiӃp Mҥch ghép trực tiếp cho ӣ hình 1-28. ӣ mҥch này cực góp của tranzito trѭớc đấu trực tiếp vào cực gốc của tranzito sau. Cách trực tiếp này làm giҧm méo tần số thấp trong bộ khuếch đҥi, đѭợc dùng trong bộ khuếch đҥi tín hiệu có thành phần một chiều (tín hiệu biến thiên chậm). Nhѭợc điểm của mҥch là không tận dụng đѭợc độ khuếch đҥi của tranzito do chế độ cấp điện một chiều. 1.8. MӜT SӔ MҤCH KHUӂCH ĐҤI KHÁC 1.8.1. Mҥch khuӃch đҥi Đarlingtѫn Khi cần trӣ kháng vào tầng khuếch đҥi lớn để dòng vào nhỏ, hệ số khuếch đҥi lớn ta nối mҥch khuếch đҥi theo Đarlingtơn. Mҥch gồm hai tranzito T1 và T2 đấu nhѭ hình 1-29. Khi cấp nguồn thoҧ mãn để T1,T2 làm việc chế độ khuếch đҥi ta có: 2C1CC III += còn 2B1E II = R1 R2 R4 R6 R3 R5 T2 T1 +EC ur uV Hình 1-28: Mҥch khuếch đҥi ghép trực tiếp W2 Hình 1-27: Tầng khuếch đҥi ghépbiến R1 R3 RC R2 RE R4 T2 T W1 CP CP2 CE Rn En ∼ +EC Ur Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 36 Bỏ qua thành phần dòng ngѭợc ban đầu ta có: 1B211B211B21B1 1B121B12B21B1C I..I..I.I. I).1.(I.I.I.I ββ≈ββ+β+β= β+β+β=β+β= Vì 1, 21 >>ββ trong đó 21,ββ thứ tự là hệ số khuếch đҥi dòng của tranzito T1, T2. Vậy hệ số khuếch đҥi dòng của sơ đồ Đarlingtơn: 21.ββ=β (1-96) Ta tính đѭợc điện áp vào của mҥch: 2V1B1V1BBE r).1.(Ir.IU β++= . Nên điện trӣ vào là: 2V11V 1B 2BE V r).1(rI U r β++== (1-97) 1.8.2. Mҥch Cascӕt (Kaskode) Mҥch gồm hai tranzito ghép với nhau, T1 mắc phát chung còn T2 mắc gốc chung. Sơ đồ nhѭ hình 1-30. Khi có tín hiệu vào T1 khuếch đҥi đặt tín hiệu ra 1raU lên cực phát gốc T2 điều khiển tiếp T2 khuếch đҥi tiếp cho 2raU . Ta chứng minh đѭợc hệ số khuếch đҥi điện áp của T1: 1K 1u −= của T2: 2V C2 u r R. K 2 β≈ nên hệ số khuếch đҥi chung: 2V C2 uu r R. K.KK 21 β−== (1-98) trong đó rv2 là điện trӣ vào của tranzito T2. Ѭu điểm cơ bҧn của mҥch này là ngĕn cách ҧnh hѭӣng của mҥch ra đến mҥch vào của tầng khuếch đҥi, đặc biệt ӣ tần số cao. 1.8.3. Mҥch khuӃch đҥi giҧi rӝng Tín hiệu có giҧi tần rộng điển hình là tín hiệu video. Để khuếch đҥi đѭợc giҧi tần rộng nhѭ vậy mҥch khuếch đҥi thѭӡng dùng thêm một phần tử hiệu chỉnh. Mҥch điện của một tầng có hình 1-31. IE1=IB2 IC1 IC IC2 IE2 T1 IB1 T2 Hình 1-29: Mҥch Đarlingtѫn Hình 1-30: Mҥch khuӃch đҥi Cascӕt. R1 R2 RC R3 CP2 CP1 CB T1 T2 UV Ura1 Ura Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 37 Ӣ mҥch này L, R3, C2 là các phần tử hiệu chỉnh đѭợc chọn phù hợp sao cho ӣ khoҧng tần số trung bình của giҧi tần <<ω<<ω 2tbtb C.1,L. , xem ≈ 0 nên tҧi của tầng là R4. Thѭӡng R4 chọn nhỏ hơn các tầng khuếch đҥi khác. ӣ khoҧng tần số cao fC có ωC.L đủ lớn nên tҧi của tầng gồm R4 và ωC.L nên Ura tĕng lên. Ӣ tần số thấp 2t t C. 1 ,L. ω<<ω đủ lớn nên tҧi của tầng là R4 và R3. Nhѭ vậy nhӡ các phần tử hiệu chỉnh làm tĕng tҧi xoay chiều ӣ vùng tần số hai đầu của giҧi tần nhӡ vậy điện áp ra tĕng lên ӣ hai đầu vùng đó. Đѭӡng 1 biểu thị hệ số khuếch đҥi tѭơng đối khi không có phần tử hiệu chỉnh, đѭӡng 2 là khi có các phần tử hiệu chỉnh. 1.8.4. Mҥch khuӃch đҥi cӝng hѭӣng (chӑn lӑc) Mҥch khuếch đҥi cộng hѭӣng dùng phổ biến ӣ các tầng khuếch đҥi có tần số cao. Tҧi của tầng là mҥch cộng hѭӣng song song. Mҥch điển hình ӣ hình 1-32. Ӣ mҥch này L1C2, L2C3 cộng hѭӣng ӣ tần số vào. Khi tần số tín hiệu vào thay đổi các mҥch L1C2, L2C3 cần phҧi điều chỉnh tần số cộng hѭӣng theo. Tức là: V0 3221 f CL 1 CL 1 == . a) R1 R3 R2 R4 CP1 CP2 C2 +EC uV ura b) K/K0 1 1 2 ft ftb fC f Hình 1-31: a) Tҫng khuӃch đҥi giҧi rӝng b) Đặc tuyӃn biên đӝ tҫn sӕ. RE L Hình 1-32: Tҫng khuӃch đҥi cӝng hѭӣng dùng Tranzito trѭӡng +E L1 C4 C2 L2 L3 C3 CP R ur uv Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 38 Đặc điểm của mҥch, ngoài tác dụng khuếch đҥi tớn hiệu nú cũn cú khҧ nĕng chọn lọc tín hiệu theo tần số. Khi có tín hiệu vào thì thành phần tín hiệu có tần số bằng và lân cận tần số cộng hѭӣng của khung C2L1, bị khung này chặn lҥi đѭa vào tranzito khuếch đҥi. Dòng điện ra sụt áp trên khung L2C3, cҧm ứng qua L3 cho điện áp ra. 1.9. TҪNG KHUӂCH ĐҤI CÔNG SUҨT 1.9.1. Đặc điểm chung và yêu cҫu cӫa tҫng khuӃch đҥi công suҩt Tầng khuếch đҥi công suất là tầng khuếch đҥi cuối cùng của bộ khuếch đҥi, có tín hiệu vào lớn. Nó có nhiệm vụ khuếch đҥi cho ra tҧi một công suất lớn nhất có thể đѭợc. Với độ méo cho phép vào bҧo đҧm hiệu suất cao. Do khuếch đҥi tín hiệu lớn, tranzito làm việc trong miền không tuyến tính nên không thể dùng sơ đồ tѭơng đѭơng tín hiệu nhỏ để nghiên cứu mà phҧi dùng phѭơng pháp đồ thị. Các tham số cơ bҧn của tầng khuếch đҥi công suất là: - Hệ số khuếch đҥi công suất Kp là tỷ số giữa công suất ra và công suất vào. V r p P P K = - Hiệu suất là tỷ số công suất ra và công suất cung cấp một chiều P0. 0 r P P=η Hiệu suất càng lớn thì công suất tổn hao trên cực góp của tranzito càng nhỏ. Các chế độ làm việc của tầng khuếch đҥi. Tầng khuếch đҥi có thể làm việc ӣ các chế độ A, AB, B và C tuỳ thuộc vào chế độ công tác của tranzito. Chế độ A là chế độ tầng khuếch đҥi cҧ tín hiệu hình sin vào. ӣ chế độ này góc cắt θ =1800, dòng tĩnh luôn lớn hơn biên độ dòng điện ra nên méo nhỏ nhѭng hiệu suất rất thấp - chỉ dùng khi yêu cầu công suất ra nhỏ. t IC 2θ0 a) UBE UBE IC 0 0 t IC A PCm Khu vực bão hoà Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 39 Chế độ AB tầng khuếch đҥi hơn nửa hình sin của tín hiệu vào, góc cắt 900<θ <1800. Lúc này dòng tĩnh bé hơn chế độ A nên hiệu suất cao hơn. Điểm làm việc của chế độ AB gần khu vực tắt của tranzito. Chế độ B tầng khuếch đҥi nửa tín hiệu hình sin vào, có góc cắt θ =900. ӣ chế độ này dòng tĩnh bằng không nên hiệu suất cao. Chế độ AB và B có hiệu suất cao nhѭng gây méo lớn. Để giҧm méo phҧi dùng mҥch khuếch đҥi kiểu đẩy kéo mà ta sẽ xét sau đây. Chế độ C tầng khuếch đҥi tín hiệu ra bé hơn nửa hình sin, góc cắt θ <900. Nó đѭợc dùng trong các mҥch khuếch đҥi cao tần có tҧi là khung cộng hѭӣng để chọn lọc sóng hài mong muốn và để có hiệu suất cao. Chế độ D tranzito làm nhiệm vụ nhѭ một khoá điện tử đóng mӣ. Dѭới tác dụng của tín hiệu vào điều khiển khi tranzito thông bão hoà là khoá đóng, dòng IC đҥt cực đҥi, còn khoá mӣ khi tranzito tắt, dòng IC = 0. Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 40 Hình 1-33 minh hoҥ chế độ công tác của tầng khuếch đҥi công suất. 1.9.2. Tҫng khuӃch đҥi công suҩt chӃ đӝ A Trong tầng khuếch đҥi chế độ A, điểm làm việc thay đổi đối xứng xung quanh điểm tĩnh. So với tầng khuếch đҥi tín hiệu nhỏ, nó chỉ khác là tín hiệu vào lớn nên IC0 phҧi lớn theo. Xét tầng khuếch đҥi đơn mắc phát chung vì có hệ số khuếch đҥi lớn và méo nhỏ. Mҥch điện tầng khuếch đҥi ӣ hình 1-34. Với nguồn EC đã chọn, RC đã cho ta dựng đѭӡng tҧi theo phѭơng trình. UC + IC.RC = EC. Chọn điểm làm việc sao cho khi tín hiệu vào tín hiệu ra chỉ biến đổi trong vùng khuếch đҥi, từ đó xác định đѭợc CU ) , CIˆ . Chọn tranzito cần thoҧ mãn: C0CmaxCCCP IIII )+=> (1-99) C0CCCP.C UUEU )+=> (1-100) 0CCCCP.C I.EPP => (1-101) Từ hình 1-34 ta thấy công suất ra của tầng 2/U.IP CCr ))= chính là diện tích tam giác OPQ. Theo giá trị IC0 tìm đѭợc IB0, sau đó xác định UB0 và RB. Công suất ra của tầng: 2 U.I P CCr ))= (1-102) Công suất tiêu thụ của nguồn cung cấp: Hình 1-34: Tҫng khuӃch đҥi công suҩt chӃ đӝ A mҳc phát chung a) Sơ đồ b) Minh hoҥ dҥng tín hiệu trên họ đặc tuyến ra CUˆ IC EC UCE IB0 O Q P 0 C C R E IC0 CIˆ t UCE UC0 IB=0 +EC ur=uCE uV RC RB CB Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 41 C0C0 E.IP = (1-103) Hiệu suất của mҥch cực góp: C0C CC 0 r E.I.2 I.U P P ))==η Từ hình vẽ ta thấy khi 2 E UU C0CC ==) và 0CC II =) thì có η max =25%. Nếu dùng mҥch ra ghép biến áp, thực hiện đѭợc phối hợp trӣ kháng và tận dụng đѭợc nguồn nuôi EC, hiệu suất cực đҥi có thể đҥt 50%. Công suất tiêu hao trên mặt ghép góp: .I.U. 2 1 E.IPPP CCC0Cr0C ))−=−= (1-104) Từ 1-104 ta thấy công suất PC phụ thuộc vào tín hiệu ra. Khi không có tín hiệu PC=P0 nên chế độ nhiệt của tranzito phҧi tính theo công suất P0. 1.9.3. Tҫng khuӃch đҥi công suҩt đẩy kéo chӃ đӝ B hay AB có biӃn áp Sơ đồ tầng khuếch đҥi công suất đẩy kéo có biến áp ra vẽ trên hình (1-35) gồm hai tranzito T1, T2. Tҧi đѭợc mắc với tầng khuếch đҥi qua biến áp ra BA2. Mҥch cực góp của mỗi tranzito mắc với nửa cuộn sơ cấp biến áp. Tỷ số biến áp là n2=W21/Wt=W22/Wt. Biến áp BA1 có hệ số biến áp là n1=WV/W11=WV/W12 đҧm bҧo cung cấp tín hiệu vào cực gốc của hai tranzito. Tầng có thể làm việc ӣ chế độ B hay AB. Trong chế độ AB thiên áp lấy trên cực gốc của hai tranzito đѭợc lấy từ nguồn nuôi EC bằng bộ phân áp R1, R2. Trong chế độ B thiên áp ban đầu bằng không nên không cần R1. Khi đó điện trӣ R2 đѭợc dùng để đҧm bҧo công tác cho mҥch vào của tranzito trong chế độ gần với chế độ nguồn dòng. Đầu tiên xét sơ đồ làm việc ӣ chế độ B. Lúc không có tín hiệu vào điện áp trên cực gốc của hai tranzito bằng không. Nếu không tính đến dòng điện ngѭợc cực góp thì có thể - + T1 R iC R2 Hình 1-35: Tҫng đẩy kéo ghép biӃn áp T2 Rt EC UV WV W11 W12 W21 W22 Wt Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 42 coi dòng điện bằng không. Điện áp trên tҧi bằng không. Trên cực góp các tranzito có điện áp bằng EC. Khi có tín hiệu vào, bắt đầu ӣ nửa chu kỳ dѭơng, khi đó trên W11 của biến áp BA1 có nửa chu kỳ điện áp dѭơng, còn trên W12 có nửa chu kỳ điện áp âm đối với điểm chung. Kết quҧ là tranzito T2 tắt, T1 làm việc có dòng 1B1C I.I β= . Trên cuộn W21 sẽ tҥo nên điện áp t 2 21C~t1C21 R.n.IR.IU == Trên tҧi có nửa sóng điện áp dѭơng 2 2 21 t n U U = . Khi tín hiệu vào chuyển sang nửa chu kỳ âm, cực tính trên cuộn thứ cấp biến áp vào đổi dấu. Lúc đó T1 tắt, T2 khuếch đҥi đѭa ra tҧi nửa chu kỳ tín hiệu sau. Để tín hiệu ra không méo cần chọn β1=β2=β. Nhѭ vậy hai tranzito T1, T2 thay nhau làm việc theo cực tính của tín hiệu vào Quá trình làm việc mô tҧ trên hình (1-36). Đѭӡng tҧi một chiều xuất phát từ điểm toҥ độ (0, EC) vì điện trӣ một chiều của cuộn dây không đáng kể. Do 00 =BEU nên dòng cực góp xác định từ dòng điện ngѭợc của nó. Đѭӡng tҧi xoay chiều cắt đѭӡng tҧi một chiều tҥi (IC0, UC = EC) với t22~t R.nR = . Công suất ra của tầng tính đѭợc theo diện tích tam giác: 2 I.U P CCr ))= (1-105) Công suất đѭa ra tҧi có tính đến hiệu suất của biến áp là: 2a/brt .PP η= (1-106) Trị số trung bình dòng tiêu thụ từ nguồn: CIˆ IC iC IC0 UCE UCE EC ΔUCE Hình 1-36: Đӗ thӏ tính tҫng công suҩt 0 Cuˆ Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 43 π= 1I0 0 2.sin . CC II d π θ θ π=∫ )) (1-107) Công suất tiêu thụ từ nguồn cung cấp: π= CC0 I.E.2P ) (1-108) Hiệu suất của mҥch cực góp: C C 0 r C E.4 Uˆ. P P π==η (1-109) Hiệu suất của tầng: C C ab E U ) . 4 .2/ πηη = Nếu 1/ =abη thì %5,78=η khi CC EUˆ = . Thực tế CC EUˆ < do vòng cong của đặc tuyến và ηb/a = 0,8 nên η =0,6 ÷ 0,7. Công suất tiêu thụ trên mặt ghép góp: CC CC r0C IU.2 1I.E.2 PPP ))) −π=−= (1-110) hay ~ 2 ~ ˆ 2 1 . .2 t C t CC C R U R EU P −= π ) (1-111) PC phụ thuộc vào CU ) . maxCP khi CC E.64,0U =) maxCP = t 2 C 2 2 2 R E . n. 2π (1-112) Để tránh méo do tính không đѭӡng thẳng đoҥn đầu đặc tuyến vào tranzito khi dòng cực gốc bé, đó là hiện tѭợng méo gốc nhѭ vẽ trên hình 1-37.Ta cho tầng làm việc ӣ chế độ AB. Khi đó cần có điện áp UBE và IB0 ban đầu (nhӡ có R1, R2). ӣ chế độ này UBE0, IB0, IC0 bé nên các công thức dùng cho chế độ B vẫn đúng, xem hình 1-38. UBE IB ib1 ib2 0 T2 T1 Hình 1-37: ҧnh hѭӣng độ không đѭӡng thẳng của t IB T1 T2 ib1 ib2 IB0 IB0 UB UB Hình 1 38: Giҧm méo không đѭӡng Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 44 1.9.4. Mҥch khuӃch đҥi công suҩt đẩy kéo không biӃn áp 1.9.4.1. Mạch dùng tranzito cùng loại: Cho trên hình 1-39.a, b. Mҥch 1-39a cấp nguồn xứng còn ӣ hình 1-39b cấp nguồn đơn.Do tín hiệu có biên độ bằng nhau nhѭng pha ngѭợc nhau nên hai tranzito T1, T2 thay nhau làm việc khuếch đҥi tín hiệu ra tҧi. Để tầng làm việc ӣ chế độ AB cần chọn bộ phân áp R1 ÷ R4 phù hợp. 1.9.4.2. Mạch dùng tranzito khác loại trên hình 1-40. T1 _ R1 R3 R2 R4 Rt CP1 CP2 UV2 UV1 +EC _ + a) iC2 iC1 R1 R3 R2 R4 Rt CP1 CP2 UV2 UV1 +EC C b) iC2 iC1 T1 T2 Hình 1-39: Mҥ h đẩy kéo không biӃn áp dùng tranzito cùng loҥi. T2 T1 T2 Rt R1 R2 CP _ + ± EC2 EC1 T1 T2 Rt R1 R2 CP + C -EC Hình 1-40: Mҥch đẩy kéo không biӃn áp ra dùng tranzito khác loҥi UV UV UV Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 45 Các tranzito T1, T2 khác loҥi: n-p-n và p-n-p nhѭng phҧi cùng tham số, đặc biệt là hệ số β (β1 = β2). Đặc điểm của mҥch này chỉ cần một tín hiệu vào hai đèn thay nhau làm việc cho tín hiệu ra tҧi. Để tránh méo do tranzito làm việc ӣ chế độ B, mắc hai điốt vào giữa các cực gốc tҥo điện áp OBE U ban đầu, khi đó tranzito công suất làm việc sang chế độ AB. 201021 TEBTBEDD UUUU === . Mҥch điện nhѭ ӣ hình 1- 41a; hình 1-41b dùng cho tranzito Đarlingtơn . TÓM TҲT Vấn đề chính của chѭơng là khuếch đҥi tín hiệu. Mҥch khuếch đҥi có nhiệm vụ khuếch đҥi tín hiệu lớn lên với độ méo cho phép. KӃt thúc chѭѫng yêu cҫu ngѭӡi hӑc hiểu và nҳm đѭợc: Định nghĩa mҥch khuếch đҥi, các tham số đặc trѭng cho bộ khuếch đҥi: hệ số khuếch đҥi điện áp, hệ số khuếch đҥi dòng điện, hệ số khuếch đҥi công suất, trӣ kháng vào, trӣ kháng ra, méo tần số, méo phi tuyến, hiệu suất. Vấn đề phân cực cho tranzito ӣ chế độ khuếch đҥi. Với tranzito lѭỡng cực thuận PNP cần cung cấp điện áp một chiều sao cho UBE <0, UCE < 0 để tiếp giáp phát phân cực thuận, tiếp giáp góp phân cực ngѭợc. Loҥi tranzito NPN cần cung cấp điện áp một chiều UBE > 0, UCE > 0. Cần nắm đѭợc bốn kiểu mҥch cung cấp điện áp một chiều phân cực cho tranzito, tác dụng các linh kiện trong mҥch, so sánh đѭợc ѭu nhѭợc điểm của các phѭơng pháp đó. ' 1T ' 2T D1 D2 T2 R1 R3 R2 Rt T1 rU -EC +EC VU 0BEU2 CP1 a) T3 R1 R3 R2 D1 D2 D3 D4 T1 -EC +EC VU CP1 b) Rt rUT2 Hình 1-41: Tҫng khuyӃch đҥi đẩy kéo nӕi tiӃp và tҫng kích a) Dùng tranzito khác loҥi; b) Dùng tranzito Đarlington khác loҥi. Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 46 Hồi tiếp: hồi tiếp là lấy một phần tín hiệu đầu ra đѭa trӣ về đầu vào. Có hồi tiếp dѭơng và hồi tiếp âm. Hồi tiếp dѭơng là điện áp hồi tiếp về cùng pha với tín hiệu vào, loҥi hồi tiếp này dùng trong các mҥch tҥo dao động. Hồi tiếp âm là điện áp hồi tiếp về ngѭợc pha với tín hiệu vào. Hồi tiếp loҥi này làm giҧm hệ số khuếch đҥi của mҥch nhѭng cҧi thiện đѭợc nhiều chỉ tiêu chất lѭợng của mҥch khuếch đҥi: làm giҧm tҥp âm, giҧm méo tần số, giҧm méo phi tuyến, tĕng độ ổn định độ khuếch đҥi. Xét ӣ đầu ra của mҥch khuếch đҥi có hồi tiếp có khái niệm hồi tiếp điện áp, hồi tiếp dòng điện. Khi điện áp hồi tiếp tỷ lệ với dòng điện ra gọi là hồi tiếp dòng điện, tỷ lệ với điện áp ra gọi là hồi tiếp điện áp. Xét ӣ đầu vào mҥch khuếch đҥi có hồi tiếp có khái niệm hồi tiếp mắc nối tiếp, hồi tiếp mắc song song. Hồi tiếp mắc nối tiếp là điện áp hồi tiếp mắc nối tiếp với tín hiệu vào, hồi tiếp song song là điện áp hồi tiếp mắc song song với tín hiệu vào. Để minh hoҥ phần hồi tiếp phân tích mҥch điện hình 1-11. Ӣ hình 1-11a có hồi tiếp âm dòng điện trên điện trӣ RE: Uht = IE.RE. Ӣ hình 1-11b có hồi tiếp âm dòng điện trên RE1, RE2 và hồi tiếp âm điện áp từ tầng sau đѭa về trên RE1: Uht = Ur.RE1 /(R + RE1). Các sơ đồ khuếch đҥi cơ bҧn dùng tranzito lѭỡng cực: Tầng khuếch đҥi cực phát chung: mҥch này có cực phát nối đất về xoay chiều chung cho đầu vào và đầu ra. Cần hiểu đѭợc tác dụng các linh kiện trong mҥch. Tҧi một chiều của tầng RE nối tiếp với RC, tҧi xoay chiều của tầng RC // Rt. Cách chuyển về sơ đồ tѭơng đѭơng để xác định trӣ kháng vào, trӣ kháng ra, hệ số khuếch đҥi điện áp, hệ số khuếch đҥi dòng điện của tầng. Sơ đồ hình 1-14 có đѭợc khi các tụ Cp1, Cp2, CE tҥi tần số làm việc rất nhỏ, xem nhѭ bằng không. Tranzito đѭợc thay bằng điện trӣ rE, rB, rC và nguồn dòng βIB. Nguồn cung cấp EC có nội trӣ rất nhỏ xem nhѭ bằng không nên về xoay chiều điểm dѭơng nguồn và đất là nhѭ nhau. Tầng này có hệ số khuếch đҥi điện áp âm có nghĩa là tín hiệu ra ngѭợc pha với tín hiệu vào. Tầng khuếch đҥi gốc chung, góp chung cũng phân tích tѭơng tự để nắm đѭợc các vấn đề trên. Đặc điểm của hai tầng này là tín hiệu ra cùng pha với tín hiệu vào, hai tầng đều có hệ số khuếch đҥi điện áp dѭơng. Tầng khuếch đҥi góp chung có tҧi một chiều RE, tҧi xoay chiều RE //Rt. Sơ đồ khuếch đҥi dùng tranzito trѭӡng nghiên cứu hai sơ đồ cực nguồn chung và cực máng chung. Tầng khuếch đҥi cực nguồn chung có cực nguồn nối đất về xoay chiều, tầng khuếch đҥi máng chung có cực máng nối đất về xoay chiều. Cần nắm đѭợc cách vẽ mҥch, tác dụng các linh kiện trong mҥch, tҧi một chiều, tҧi xoay chiều của tầng cũng nhѭ xác định đѭợc các thông số: trӣ kháng vào, trӣ kháng ra, hệ số khuếch đҥi điện áp của các tầng. Tầng khuếch đҥi cực nguồn chung có tҧi một chiều RS nối tiếp RD, tҧi xoay chiều RD//Rt. Tầng khuếch đҥi cực máng chungcó tҧi một chiều RS, tҧi xoay chiều RS//Rt. Tầng khuếch đҥi đҧo pha: tầng có nhiệm vụ khuếch đҥi và tҥo ra hai tín hiệu đầu ra có biên độ bằng nhau, pha ngѭợc nhau. Có hai mҥch cơ bҧn là mҥch khuếch đҥi đҧo pha chia Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 47 tҧi và mҥch khuếch đҥi đҧo pha ghép biến áp. Cần nắm đѭợc nguyên lý làm việc để thực hiện đѭợc nhiệm vụ trên. Phѭơng pháp ghép tầng trong bộ khuếch đҥi: có ba phѭơng pháp ghép tầng: phѭơng pháp ghép bằng tụ điện. Các tầng ghép với nhau qua tụ điện để cách li điện áp một chiều, dẫn tín hiệu xoay chiều qua. Các tụ nối tầng đѭợc chọn sao cho đối với tín hiệu trӣ kháng của chúng rất nhỏ, xem nhѭ bằng không. Ѭu điểm của phѭơng pháp này là mҥch gọn nhẹ, tuy nhiên có nhѭợc điểm không phối hợp đѭợc trӣ kháng ra tầng trѭớc với trӣ kháng vào tầng sau. Phѭơng pháp ghép tầng bằng biến áp: tầng trѭớc ghép với tầng sao qua biến áp để cách li điện áp một chiều. Mҥch này cố ѭѭ điểm là phối hợp đѭợc trӣ kháng giữa tầng trѭớc với tầng sau, tận dụng đѭợc nguồn nuôi. Tuy nhiên mҥch có nhѭợc điểm là nặng, cồng kềnh vì biến áp có kích thѭớc lớn khi làm việc ӣ tần số thấp. Mҥch chỉ thích hợp khi làm việc ӣ tần số cao. Phѭơng pháp ghép tầng trực tiếp giҧm đѭợc linh kiện, giҧm méo tần số. Nhѭng việc phân cực cho các tranzito khó khĕn vì có sự ҧnh hѭӣng lẫn nhau. Một số mҥch khuếch đҥi khác: Mҥch khuếch đҥi Darlingtơn. Mҥch này có hệ số khuếch đҥi dòng điện bằng tích hệ số khuếch đҥi của hai tranzito nên rất lớn. Nó có thể cho dòng ra lớn khi dòng vào nhỏ. Mҥch khuếch đҥi Cascốt gồm có hai tranzito đấu nối tiếp với nhau về mặt một chiều mҥch này đѭợc dùng khuếch đҥi tín hiệu vùng tần số cao để tránh ghép ký sinh giữa đầu ra về đầu vào qua điện dung thông đѭӡng CBC. Mҥch khuếch đҥi cộng hѭӣng có tҧi là mҥch cộng hѭӣng song song. Ngoài nhiệm vụ khuếch đҥi mҥch còn có nhiệm vụ chọn lọc tín hiệu theo tần số, thѭӡng dùng làm mҥch khuếch đҥi tín hiệu có tần số cao. Tầng khuếch đҥi công suất dùng để khuếch đҥi công suất ra tҧi. Yêu cầu mҥch khuếch đҥi cho công suất ra lớn với độ méo cho phép và hiệu suất cao. Đặc điểm của tầng là biên độ tín hiệu vào lớn. Khi phân tích và tính toán dùng phѭơng pháp đồ thị trên đặc tuyến để có độ chính xác cao. Tầng khuếch đҥi công suất đơn làm việc ӣ chế độ A cho công suất ra bé. Tầng khuếch đҥi công suất đẩy kéo cho công suất ra kém làm việc ӣ chế độ AB để giҧm méo và có hiệu suất cao. Mҥch khuếch đҥi công suất đẩy kéo dùng tranzito cùng loҥi có thể dùng mҥch ghép biến áp hoặc mҥch không dùng biến áp. Khi dùng mҥch khuếch đҥi công suất đẩy kéo không biến áp phía trѭớc phҧi có tầng đҧo pha chia tҧi. Mҥch khuếch đҥi công suất đây kéo dùng tranzito khác loҥi có ѭu điểm đơn giҧn, phía trѭớc không cần tầng khuếch đҥi đҧo pha và có hồi tiếp âm dòng điện toàn phần trên tҧi Rt: Uht = Ir.Rt (hình 1- 41a) . Cần chú ý hai tranzito trong tầng khuếch đҥi công suất đẩy kéo có tham số giống nhau đặc biệt là hệ số khuếch đҥi dòng và kết cấu mҥch đối xứng để có méo phi tuyến nhỏ. CÂU HӒI VÀ BÀI TҰP 1.1. Nêu định nghĩa và các tham số của mҥch khuếch đҥi? 1.2. Nêu các phѭơng pháp cấp nguồn phân cực cho tranzito ӣ chế độ khuếch đҥi? Ѭu nhѭợc điểm của các phѭơng pháp đó? 1.3. Thế nào là hồi tiếp trong mҥch khuếch đҥi? hồi tiếp âm, hồi tiếp dѭơng? 1.4. Thế nào là hồi tiếp dòng điện, hồi tiếp điện áp? 1.5. Thế nào là hồi tiếp mắc song song, hồi tiếp mắc nối tiếp? Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 48 1.6. Nêu các ѭu điểm của hồi tiếp ẩmtong mҥch khuếch đҥi? 1.7. Trình bày tầng khuếch đҥi mắc cực phát chung? 1.8. Trình bày tầng khuếch đҥi mắc cực góp chung? 1.9. Trình bày tầng khuếch đҥi mắc cực gốc chung? 1.10. Trình bày tầng khuếch đҥi mắc cực nguồn chung? 1.11. Trình bày tầng khuếch đҥi mắc cực máng chung? 1.12. Trình bày phѭơng pháp ghép tầng bằng tụ, ѭu nhѭợc điểm? 1.13. Tҥi sao trong bộ khuếch đҥi ghép tụ, tụ nối tầng gây méo tần số thấp? 1.14. Trình bày phѭơng pháp ghép tầng bằng biến áp, ѭu nhѭợc điểm? 1.15. Trình bày phѭơng pháp ghép tầng trực tiếp, ѭu nhѭợc điểm? 1.16. Nguyên nhân gây méo tần số cao trong bộ khuếch đҥi? 1.17. Nêu phѭơng pháp nâng cao chất lѭợng của bộ khuếch đҥi? 1.18. Đặc điểm của tầng khuếch đҥi giҧi rộng? 1.19. Đặc điểm của tầng khuếch đҥi cộng hѭӣng? 1.20. Trong tầng khuếch đҥi công suất đẩy kéo dùng tranzito khác loҥi có hồi tiếp không? nếu có thuộc loҥi hồi tiếp gì? 1.21. Thế nào là chế độ A, B, AB, C của tầng khuếch đҥi? 1.22. Tҥi sao tầng khuyếch đҥi công suất đơn cho làm việc ӣ chế độ A, tầng đẩy kéo làm việc ӣ chế độ AB? 1.23. Thế nào là tầng khuếch đҥi đҧo pha ? Nêu các loҥi mҥch đҧo pha đã học? 1.24. Tҥi sao khi phân tích các tầng khuếch đҥi cơ bҧn ta dùng phѭơng pháp mҥch tѭơng đѭơng? 1.25. Tҥi sao khi phân tích tầng khuếch đҥi công suất phҧi dùng phѭơng pháp đồ thị (trên đặc tuyến vào, đặc tuyến ra của tranzito)? 1.26. Nêu đặc điểm của tầng khuếch đҥi Darlingtơn? 1.27. Nêu đặc điểm của tầng khuếch đҥi Cascốt? 1.28. Phân tích các loҥi hồi tiếp ӣ hình 1-11? Xác định biểu thức tính các điện áp hồi tiếp đó? 1.29. Cho tầng khuếch đҥi hình P 1.29 biết các tham số của mҥch Ec = +12v, Hình P1-29. R1 = 300k Ω; R2 = 2,7 k Ω; β = 99, chọn Ube0 = 0,6V. a. Xác định các giá trị dòng điện và điện áp một chiều trên các cực của tranzito? Uv +Ec C2 C1 T RtR2 R1 Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 49 b. Biết Rt = 2,7k Ω, xác định tҧi một chiều và tҧi xoay chiều của tầng khuếch đҥi ? Vẽ đѭӡng tҧi một chiều và xác định điểm làm việc tĩnh Q ? 1.30. Cho tầng khuếch đҥi hình P1.30. Biết Ec = +12v, R1 = 20kΩ, R2 = 4kΩ, R3 = 4kΩ, R4 = 1kΩ, β = 99. Hình P1-30. a. Xác định chế độ dòng điện và điện áp một chiều trên các cực của tranzito ? b. Biết Rt = 8kΩ, xác định giá trị tҧi một chiều, tҧi xoay chiều của tầng khuếch đҥi. Vẽ đѭӡng tҧi một chiều và xác định điểm làm việc Q? 1.31. Cho tầng khuếch đҥi công suất đẩy kéo trên hình P1.31. Giҧ thiết tranzito lý tѭӣng. Biết Ube0 = Ud = 0,5v. Thiên áp cho tranzito đѭợc thực hiện sao cho đҥt biên độ tín hiệu ra cực đҥi không méo. Tụ C1, C2 trӣ kháng xem nhѭ bằng không tҥi tần số làm việc. a. Giҧi thích nguyên lý làm việc của sơ đồ? b. Tính R1, R2 sao cho dòng phân cực qua chúng là 1mA? c. Cho Rt = 100 Ω. Tính công suất ra cực đҥi và hiệu suất của tầng (bỏ qua công suất tổn hao trong mҥch thiên áp)? Hình P1-31. 1.32. Thế nào là méo tần số trong mҥch khuếch đҥi? a. Là méo mà hệ số khuếch đҥi của mҥch bị thay đổi ӣ khoҧng tần số hai đầu của giҧi tần. b. Là méo làm xuất hiện thêm tần số mới ӣ đầu ra. c. Là méo mà hệ số khuếch đҥi không thay đổi theo tần số. 1.33. Thế nào là méo phi tuyến trong mҥch khuếch đҥi? +Ec C2 C3 C1 T Rt R2 R1 R4 R3 +Ec Uv C2C1 D2 D1 T2 T1 Rt R2 R1 Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 50 a. Là méo làm xuất hiện thêm thành phần tần số mới ӣ đầu ra. b. Là méo làm giҧm tín hiệu ra ӣ hai đầu giҧi tần. c. Là méo làm tín hiệu ra ngѭợc pha tín hiệu vào. 1.34. Thế nào là tҧi một chiều của tầng khuếch đҥi? a. Là các điện trӣ mà dòng một chiều đầu ra chҥy qua. b. Là các điện trӣ mà dòng xoay chiều đầu ra chҥy qua. c. Là các điện trӣ mà dòng một chiều và xoay chiều đầu ra cùng chҥy qua. 1.35. Xác định tҧi một chiều trong tầng khuếch đҥi cực phát chung? a. Rt- = RE + Rt. b. Rt- = Rt + RC. c. Rt- = RC + RE. 1.36. Xác định tҧi một chiều trong tầng khuếch đҥi cực góp chung? a. Rt- = RE + Rt. b. Rt- = RE //Rt c. Rt- = RE. 1.37. Thế nào là tҧi xoay chiều của tầng khuếch đҥi? a. Là các điện trӣ mà dòng một chiều và xoay chiều đầu ra cùng chҥy qua. b. Là các điện trӣ mà dòng một chiều đầu ra chҥy qua. c. Là các điện trӣ mà dòng xoay chiều đầu ra chҥy qua. 1.38. Xác định tҧi xoay chiều của tầng khuếch đҥi cực phát chung? a. Rt~ = RE //Rt. b. Rt~ = RC //Rt. c. Rt~ = Rt + RC. 1.39. Xác định tҧi xoay chiều của tầng khuếch đҥi cực góp chung? a. Rt~ = RE. b. Rt~ = RE //Rt. c. Rt~ = Rt + RE. 1.40. Xác định tҧi một chiều của tầng khuếch đҥi cực nguồn chung? a. Rt- = RS + RD. b. Rt- = RS. c. Rt- = RD. 1.41 Xác định tҧi một chiều của tầng khuếch đҥi cực máng chung? a. Rt- = Rt //RS. b. Rt- = RS. c. Rt- = Rt + RS. 1.42 Xác định tҧi xoay chiều của tầng khuếch đҥi cực nguồn chung? a. Rt~ = RD //Rt. b. Rt~ = RD + Rt. c. Rt~ = RS + Rt. Chương 1: Mạch khuếch đại Tranzito 51 1.43. Xác định hệ số khuếch đҥi điện áp của bộ khuếch đҥi có n tầng khi hệ số khuếch đҥi từng tầng thứ tự là K1, K2 .Kn? a. K = K1.K2 .Kn. b. K = K1 + K2 + + Kn. c. Bằng tổng đҥi số các hệ số khuếch đҥi. 1.44. Xác định độ méo tần số của bộ khuếch đҥi có n tầng khi độ méo tần số của các tầng thứ tự là M1, M2 Mn? a, M = M1.M2 Mn. b, M = M1 + M2 + + Mn. c, Bằng tổn đҥi số các độ méo. 1.45. Xác định hệ số khuếch đҥi dòng điện của cặp khuếch đai Darlingtơn khi hệ số khuếch đҥi của các tranzito là β1, β2? a. β = β1.β2. b. β = β1 +β2. c. β = β2 - β1. 1.46. Nêu tác dụng của điốt D1, D2 trong tầng khuếch đҥi công suất đẩy kéo dùng tranzito khác loҥi? a. Để phân cực cho các tranzito công suất làm việc ӣ chế độ AB và ổn định điểm làm việc cho tầng. b. Để cho các tranzito công suất làm việc ӣ chế độ A. c. Để ổn định điểm làm việc cho các tranzito công suất. 1.47. Tầng khuếch đҥi công suât đẩy kéo dùng tranzito khác loҥi có hồi tiếp âm không, nếu có thuộc loҥi hồi tiếp gì? a. Có, hồi tiếp âm dòng điện. b. Không. c. Có, hồi tiếp âm điện áp.