Những bí ẩn của bộ nhớ PC - Phần 1
Cơ quan công nghiệp chịu trách nhiệm quản lý các tiêu chuẩn công nghệ bộ nhớ có tên Hội đồng kỹ thuật thiết bị điện tử (JEDEC Joint Electron Device Engineering Council).
Vài năm trước, cái tên này đã được chuyển thành “Hiệp hội công nghệ bán dẫn JEDEC”. JEDEC lại thuộc một cơ quan tiêu chuẩn hoá kỹ thuật bán dẫn lớn hơn mang tên Hiệp hội Công nghệ Điện tử (EIA – Electronic Industries Alliance). EIA là một tổ chức thương mại đai diện cho toàn bộ các lĩnh vực trong ngành công nghiệp điện tử.
5 trang |
Chia sẻ: tlsuongmuoi | Lượt xem: 2040 | Lượt tải: 1
Bạn đang xem nội dung tài liệu Những bí ẩn của bộ nhớ PC - Phần 1, để tải tài liệu về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
Những bí ẩn của bộ nhớ PC - Phần 1
Tất cả những công ty sản xuất nên chiếc máy tính bạn đang sử dụng đều là
thành viên của EIA và JEDEC. Kể từ năm 1958 cho đến nay, JEDEC đã trở
thành nhà phát triển tiêu chuẩn hàng đầu trong ngành công nghiệp bán dẫn.
Trong vòng 15 năm, tốc độ DRAM đã tăng tới 4,000%, trong khi thiết kế của
chúng vẫn vô cùng đơn giản. Thực ra đây là một điều có chủ ý từ trước.
Điều cốt yếu trong công nghệ RAM là yêu cầu phải có nguồn cung cấp năng
lượng liên tục để duy trì dữ liệu. Quy trình này có tên Self-Refreshing (tự làm
mới). Thiết kếhệ thống bộ nhớ luôn bị chi phối bởi động lực kinh tế, đơn giản
là bởi có quá nhiều tiền của đổ vào cơ sở vật chất hiện tại, chủ yếu tập trung
ở mạch điều khiển bộ nhớ. Điều này cho phép sản xuất DRAM với số lượng
lớn, và do đó, hạ giá thành sản phẩm. Thường thì các nhà sản xuất đều cố
gắng làm cho sản phẩm của mình trở nên càng rẻ càng tốt để được người
tiêu dùng dễ dàng tiếp nhận, hơn là một sản phẩm siêu việt hơn về kỹ thuật
nhưng lại có giá cao hơn hẳn.
Theo Graham Allan và Jody Defazio của tập đoàn công nghệ MOSAID thì
“DDR2 SDRAM,kẻ thống lĩnh thị trường hiện tại, có tính bảo đảm cao, dung
lượng lưu trữ lớn, giá thành thấp, và băng thông kênh hợp lý nhưng lại có
giao diện thô kệch và mạch điều khiển rắc rối.”
Để cho rõ ràng, chúng ta sẽ gọi SD-RAM là “SDR”, thế hệ DDR SD-RAM đầu
tiên là “DDR1”, còn “DDR” sẽ đại diện cho toàn bộ gia đình bộ nhớ liên quan
đến tiêu chuẩn DDR.
Đơn vị đo
Khi nói đến bộ nhớ, chúng ta không thể tránh khỏi những thuật ngữ như chu
kỳ xung nhịp, timing, Megabits/giây (Mbps) và Megahertz (MHz). Chúng đều
liên quan tới khái niệm tốc độ của hệ thống bộ nhớ trong các hoàn cảnh khác
nhau.
MegaByte (MB) và GigaByte (GB) thường được dùng để chỉ dung lượng lưu
trữ. Băng thông và Tốc độ là hai đơn vị đo lường khác nhau, sự khác nhau
nằm ở cách chúng ta mô tả hiệu suất hệ thống như thế nào . Nó không hạn
chế chỉ liên quan bộ nhớ mà cả các bộ phận khác trong máy tính nữa.
Một đơn vị dùng để minh hoạ lượng dữ liệu được gửi đi (bit), thường được
tính bằng lượng đơn vị trong một khoảng thời gian nhất định (bit/giây). Đơn
vị còn lại để diễn tả độ nhanh của dòng dữ liệu (Hz). Càng nhiều đơn vị dữ
liệu được chuyển qua một dây, dòng luân chuyển càng nhanh. Khi bàn về tốc
độ trong hệ thống bộ nhớ, hai khái niệm này có thể được dùng tráo đổi cho
nhau.
Những người dùng có kinh nghiệm thường để ý đến một đơn vị đo khác có
tên Chu kỳ xung nhịp (CK hoặc tCK). Nó được dùng để mô tả thời gian trễ bộ
nhớ, tức khoảng thời gian ngưng trệ cần thiết trong quá trình bộ nhớ hoặc
động, khoảng thời gian này càng ngắn, tốc độ bộ nhớ càng cao. Ngoài ra,
một vòng xung nhịp còn được đổi ra thành nano giây (ns). Trong phần sau,
chúng ta sẽ bàn kỹ hơn về chủ đề này.
Lưu lượng băng thông
Đường luân chuyển bộ nhớ cũng giống như những con đường vậy. Còn băng
thông (bit/giây) thì tương tự như lượng xe cộ mà một tuyến đường có thể
chứa trong một khoảng thời gian nhất định. Nó liên quan trực tiếp với số
lượng tuyến đường sẵn có.
Tần số (Hz) tương đương với tốc độ tối đa mà các xe có thể chạy. Giới hạn
tốc độ càng cao, xe càng có thể chạy với tốc độ cao hơn, nhưng cũng dễ va
chạm hơn. Khi đó, thời gian trễ bộ nhớ có thể xem như những ngã tư với đèn
giao thông, tạo ra những khoảng dừng cần thiết để giảm bớt tai nạn. Việc
giảm thời gian chờ đợi sẽ giúp tăng lưu lượng xe cộ, nhưng với điều kiện là
chúng đã sẵn sàng và có đủ thời gian lăn bánh.
Cấu trúc bộ nhớ
Phần dễ nhận thấy nhất trên hệ thống bộ nhớ máy tính bao gồm những
thanh nhớ và khe cắm. Đối khi những bộ phận này được gọi chung là Bank.
Mỗi thế hệ và thể loại bộ nhớ lại có một cấu trúc khác nhau một chút để
tránh việc vô tình cài đặt module không tương thích có thể dẫn đến thiệt hại
ngoài ý muốn.
Trên mỗi module bộ nhớ lại có những con chip bộ nhớ nhỏ có tên DRAM, đôi
khi còn được gọi bằng một cái tên bình dân hơn là IC. Nhân DRAM là một
mảng tụ điện được gọi là các ngăn ( Cell ) có chứa dữ liệu (0 hoặc 1) bằng
cách giữ lại những điện tử được nạp .
Trước khi đọc dữ liệu, tụ điện trên phải được phóng điện vào bộ khuếch đại.
Khi đó, mỗi tín hiệu đọc là một hành động nguy hiểm, có thể xoá sạch tụ
điện. Do đó, các nhà sản xuất phải bổ sung thêm một bước là nạp lại các
ngăn đã được đọc. Đây chính là điểm khác biệt cơ bản giữa công nghệ RAM
và bộ nhớ kiểu Solid State như NAND và NOR.
Theo Kingston Memory, ở bộ nhớ DDR1 (thế hệ thứ nhất), một máy
tính trung bình mất khoảng 200ns (nano giây) để truy cập một bộ nhớ vật lý,
và mất 12,000,000ns đối với ổ cứng. Nói một cách dễ hiểu, nó hoạt động với
vận tốc chậm hơn 60000 lần, tương đương với sự khác biệt giữa 1 phút và 42
ngày.
Sự khác nhau giữa Bộ nhớ Cache và RAM
Cache là một loại bộ nhớ nhanh hơn rất nhiều so với những bộ nhớ tiêu
chuẩn như DDR. Loại bộ nhớ này hoạt động giống như những khu vực lưu trữ
chuyên dụng dành cho những dữ liệu thường xuyên được sử dụng, cho phép
truy cập dữ liệu cực nhanh. Tuỳ từng trường hợp, đôi khi chúng còn được gọi
là “bộ nhớ đệm.”
Bên trong khuôn ( Die ) bộ vi xử lý, những cache này được phân loại dựa trên
mức ưu tiên và tốc độ truy cập: Mức 1 (L1), Mức 2 (L2) và Mức 3 (L3). L1 có
tốc độ nhanh nhất và thời trễ nhỏ nhất, nhưng dung lượng thấp nhất
(Kilobytes). Các lệnh và dữ liệu thường được sử dụng nhất trong module bộ
nhớ DDR được copy sang cache L1 trong quá trình xử lý dữ liệu. Cache có rất
nhiều tính năng khác nhau: một số chỉ được dùng cho dữ liệu, trong khi một
số khác chuyên được dùng cho mã lệnh và lệnh chương trình. Tất cả các CPU
để bàn đều có cache L1 riêng dành cho cả lệnh và dữ liệu.
Tốc độ của cache L1 có thể nhanh gấp nhiều lần so với bộ nhớ DDR2 hoặc
thậm chí là cả DDR3 chuẩn . Intel E6750 kết hợp với chipset Intel X38 có tốc
độ cache L1 khoảng 42500MB/giây. Tiếp đến là cache L2 tuy có chậm hơn,
nhưng lại lớn hơn hẳn (Megabytes) với tốc độ khoảng 20500MB/giây. Còn bộ
nhớ DDR3 kênh đôi mới ( Dual-Channel ) nhất với tần số 1,333MHz và thiết
lập thời gian trễ trung bình có băng thông khoảng 8,800MB/giây.
Một số module bộ nhớ DDR sử dụng công nghệ đệm để có độ ổn định và tốc
độ cao hơn. Những bộ nhớ “đệm” này có mạch điện cao cấp chuyên dụng
cho máy tính trạm và máy chủ.
Fully-Buffered DIMM (FB-DIMM) sử dụng Bộ nhớ đệm cao cấp (AMB) để nâng
cao khả năng truyền dữ liệu, tính toàn vẹn của tín hiệu và phát hiện lỗi. Nó
được thiết kế để chuyển lần lượt dữ liệu (không phải theo cấu trúc Bus Song
song mà theo phương thức Nối tiếp) giữa AMB và mạch điều khiển bộ nhớ.
Một vấn đề của FB-DIMM chính là việc hiệu suất làm việc của nó liên quan tới
TPD ( Thermal Power Design ) – là một Chip phụ nằm trên thanh nhớ để điều
khiển việc truy cập dữ liệu liên quan tới năng lượng toả ra ( năng lượng toả
ra một mức độ nào đó thì nó sẽ tăng thời gian trễ của bộ nhớ để giảm nhiệt
độ ).
Các máy tính để bàn thông thường dựa trên module bộ nhớ được gọi là “Un-
buffered” DIMM; sử dụng công nghệ bus bộ nhớ khác và rẻ hơn nhiều. Bạn
đọc nên chú ý rằng mặc dù được dán mác "DDR2", những thanh nhớ cho kiểu
FB-DIMM không tương thích đươợ với các máy tính để bàn thông thường.
Bộ nhớ kiểu Solid State
Bạn cần phân biệt rõ hai loại bộ nhớ sau đây: công nghệ RAM Volatile (linh
động) và bộ nhớ Non-Volatile dựa trên Flash . Bộ nhớ Flash dựa trên hai công
nghệ cơ bản là NAND và NOR. Nhưng tại sao chúng ta lại phải để ý đến
những bộ nhớ này trong khi chúng chẳng liên quan gì đến DDR?
Tương lai của hệ thống máy tính phụ thuộc rất nhiều vào khả năng hợp tác
giữa các bộ nhớ DDR hiện tại với bộ nhớ Flash để nâng cao tốc độ tổng thể
của hệ thống . Khác với công nghệ RAM (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên ), các
bộ nhớ Flash có khả năng duy trì dữ liệu mà không cần bất kỳ nguồn điện
nào. Mặc dù tốc độ truy cập của chúng thấp hơn so với công nghệ DDR hiện
tại, nhưng lại nhanh hơn so với ổ cứng cơ học trong việc đọc ngẫu nhiên bởi
chúng không phải thực hiện bộ phận di chuyển cơ học nào.
Microsoft Vista, trong chế độ ReadyBoost, cũng như các hệ điều hành
tương lai sẽ sử dụng cả hai loại bộ nhớ này cùng lúc để tăng tốc độ hệ thống
tổng thể. Ví dụ tiêu biểu là “Turbo Memory” của Intel, dựa trên công nghệ
NAND Flash, trước khi phát hành còn có tên khác là công nghệ “Robson”
Intel. Nhưng hiện tại thì Turbo Memory lại đóng vai trò không thể thiếu trong
nền tảng "Santa Rosa" Centrino mới nhất. Nó có vai trò như một cache lớn
chứa những file và ứng dụng thường xuyên sử dụng, và có tốc độ truy cập
ngẫu nhiên nhanh hơn so với ổ cứng cơ khí thông thường .
Các hệ điều hành hỗ trợ loại công nghệ lưu trữ đôi này có lợi thế ở thời gian
khởi động bởi các file hệ điều hành quan trọng sẽ được chứa trong bộ nhớ
flash trong quá trình khởi động. Cũng chính nhờ khả năng này mà trong
tương lai, bộ nhớ flash sẽ hoạt động nhiều hơn và hợp tác chặt chẽ hơn với
bộ nhớ DDR. Tuy nhiên, trong tương lai gần, thì không chiếc máy tính nào
phụ thuộc nhiều vào khả năng này bởi bộ nhớ flash có tuổi thọ ngắn so với ổ
cứng thông thường và bộ nhớ DDR.
Các file đính kèm theo tài liệu này:
- Những bí ẩn của bộ nhớ PC - Phần 1.pdf