Bài giảng Mạch điện tử - Chương 3: Mạch khuếch đại FET
=> Cùng với một dòng ids nhưng được biểu diễn theo 2 điện áp khác nhau. => Ta có thể chuyển đổi qua lại 1 cách nhanh gọn giữa (1) và (2) không phải dùng KVL như trước bằng “kỹ thuật phản ánh FET” với nguyên lý bảo toàn dòng (ids )
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Bài giảng Mạch điện tử - Chương 3: Mạch khuếch đại FET, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 1
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 2
• Nguyên lý hoạt động
• Đặc điểm - Phân loại - Ký hiệu
• Cấu tạo và hoạt động phân cực
• Mạch phân cực (DC)
• Mạch phân cực cho JFET
• Mạch phân cực cho MOSFET
• Mạch tín hiệu nhỏ (AC)
• Mô hình tương đương của FET: dạng S chung
• Phân tích mạch tín hiệu nhỏ (CS – CD – CG)
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 3
• Đặc điểm - Phân loại - Ký hiệu
• FET kênh n
• FET kênh p
• Cấu tạo và hoạt động phân cực
• JFET
• MOSFET (IGFET)
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 4
• Kênh bán dẫn được điều khiển bởi điện áp.
• FET là nguồn dòng phụ thuộc áp
• FET kênh p
• FET kênh n
• Gồm 3 cực
• Cực cổng G ~ cực Base
• Cực nguồn S ~ cực Emitter
• Cực máng D ~ cực Collector N P
• Phần tử phi tuyến
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 5
• VGS = 0: dòng bão hòa I DSS
Điểm nghẽn kênh
• Tăng V GS = -1
điểm nghẽn tại i D thấp hơn
• VGS = -2 = -Vp0 : điện thế nghẽn với i D=0
Vùng ñi n tr (i D thay ñ i theo v DS )
Vùng khu ch ñ i
(bão hòa)
Vùng t t (i D=0)
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 6
• Họ đặc tuyến JFET kênh n và điều kiện hoạt động ở vùng dẫn
khuếch đại (bão hòa).
• -Vpo ≤ V GS ≤ 0
• Vp = V po + V GS ≤ V DS
• 0 ≤ IDS = Ip ≤ Ipo
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 7
• VGS = 0
• -Vp0 < V GS < 0
• VGS > 0
Vùng ñi n tr .
Vùng khu ch ñ i
(bão hòa).
Vùng t t.
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 8
• Họ đặc tuyến MOSFET kênh n và điều kiện hoạt động ở vùng
dẫn khuếch đại (bão hòa).
• Vpo ≤ V GS
• Vp = V po + V GS ≤ V DS
• 0 ≤ IDS = I p ≤ Ipo
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 9
Ví dụ: Cho FET có phương trình ñ c tính dòng áp là
4 2
IDS = 2.10 (1+0.25 V GS ) (A)
a. Tìm dòng và áp ngh n khi V GS =0.
b. Tìm dòng và áp ngh n khi V GS = 1, 2, 4 (V).
c. Tìm dòng và áp ngh n khi V GS =1, 2, 4 (V).
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 10
4 2 4
VGS = 0 thì I = 2.10 (1+0.25 . 0 ) = 2.10 (A) = I po .
4 2
IDS = 0 thì 2.10 (1+0.25 . V GS ) = 0
gi i PT ta ñư c V GS = 4 (V) Vpo = 4 (V).
JFET
VGS 4 2 1 0 1 2 4
4
Ip= I DS 0 0.5 1.125 2.10 3.125 4.5 8
Vp= V DS 0 2 3 4 5 6 8
MOSFET
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 11
• Mạch phân cực cho JFET
• Mạch phân cực cho MOSFET
• Chế độ nghèo
• Chế độ tăng cường
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 12
Ta có:
0 = R G IG + V GS + R S ID
= 0 + V GS + R S ID
ðư ng phân c c: VGS = RS ID (1)
ð c tuy n truy n:
IDS =I D = I po (2)
T (1) và (2) cho ta h PT hai n
IDSQ và V GSQ . Gi i h ta có ñi m Q.
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 13
Ví dụ: Cho m ch như hình v : I po = 0.1 mA , V po = 4 V. Tìm Q?
Ta có: V GS = V G VS = VS = RS IDQ (I G =0)
VGSQ = RS IDQ (1)
M t khác:
IDQ = I po (2)
T (1) và (2) ta có :
3 2
6.25x10 (V GSQ ) + 1.05 V GSQ + 0.1 = 0
VGSQ = 0.095V
VGSQ = 168V ( L ai vì < Vpo )
VDS = V DD IDQ (R S + R D )= 19.81 (V)
Nh n xét: RG không nh hư ng ñ n s phân c c do I G =0.
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 14
VDS = V DD -ID (R S + R D )
VG = V DD R2 / (R 1 + R 2)
VG = R G IG + V GS + R S ID = 0 + V GS + R S ID
VVVV GS= = V G V -=RRRSSS IIIDDD (Đường phân cực )
Đặc tuyến truyền:
IDS =I D = I po
Điểm tĩnh Q:
IDQ = I po và V GSQ = V G -RS IDQ
Giải hệ trên tìm được Q (I DQ , V GSQ )
4/2/2013 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 1515 15
VDS = V DD -ID RD
Ðường phân cực :
VGS = V DS = V DD –RDID (1)
Đặc tuyến truyềnạđ đạt:đạ ạđt:t:t:
IDS =I D = I po (2)
Từ (1) và (2) ta có hệ PT hai
ẩn I DSQ và V GSQ . Giải hệ ta có
điểm Q
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 16
Ví dụ: Cho m ch như hình v : I po = 6mA , V po = 3V. Tìm Q?
Ta có :
VG = V DD R2 / (R 1 + R 2) = 1.5 V
VGSQ = V G RS IDQ (1)
M t khác:
IDQ = I po (2)
T (1) và (2) ta có :
2
0.1 (V GSQ ) + 1.6 V GSQ 0.6 = 0
VGSQ = 0.366 V
VGSQ = 16.366 V (L ai vì < Vpo )
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 17
Ví dụ: Cho m ch như hình v : I po = 4mA, V po = 4V. Tìm Q?
Ta có:
VGS = V DD –RDID –RGIG = V DD –RDID (I G =0)
VGSQ = V DD –RDIDQ (1)
M t khác:
IDQ = I po (2)
T (1) và (2) ta có :
2
0.5(V GSQ ) + 5 V GSQ – 10 = 0
VGSQ = 1.7 V
VGSQ = 11.7 V ( L ai vì < Vpo )
Nh n xét: RG không nh hư ng ñ n s phân c c do I G =0.
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 18
• Mô hình tương đương của FET: dạng S chung
• Các thông số AC của FET
• Mô hình nguồn dòng phụ thuộc áp
• Mô hình nguồn áp phụ thuộc áp
• Phân tích mạch tín hiệu nhỏ (CS – CD – CG)
• Tính toán độ lợi dòng -áp và trở kháng vào -ra
• Kỹ thuật phản ánh trong FET: bảo toàn dòng iDS
• Mô hình tương đương của mạch khuếch đại
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 19
• Mô hình nguồn dòng phụ thuộc áp rds : T ng tr ra c a FET
∂vds
rds =
∂ids
gm: h d n
∂ids VGSQ 1
gm=|Q = 2 I P 0 1 +
∂vgs VP0 V P 0
• Mô hình nguồn áp phụ thuộc áp : H s khu ch ñ i c a FET
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 20
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 21
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 22
Zi = R1/ / R 2 Z0 = R d
vL
a) A v =
vi
g. v
vL v L m gs
Av = = ×
vi gv mgs. v i
R1/ / R 2
⇒Av = − r ds// R d // Rg Lm . .
R1/ / R 2 + r i
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 23
R1/ / R 2
Av= − r ds// R d // Rg L . m .
R1/ / R 2 + r i
Thư ng ch n:
• rds :50k~100k (ch n 50k)
• Rd :kho ng 5k~10k
• RL<≈ R d (ch n R L=3k)
R1/ / R 2
• Ch n R 1 và R 2 ph i l n hơn và r i ph i nh => ≈ 1
−3 − 1 R1/ / R 2 + r i
gm ≈2.10 ⇒Av ≈ − 3
•
Nh n xét: Av 1
• V y tín hi u ra ñư c khu ch ñ i và b ñ o pha
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 24
N u ta chuy n ñ i ngu n dòng ph thu c thành ngu n áp ph thu c thì
V i = gm. r ds
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 25
v
vvL L gs Rd/ / R L RR1/ / 2
a) A v == =− . .
vi vv gs i rRR ds+( d //) L rRR i + (//)1 2
R1/ / R 2
= − rds// R d // Rg L . m .
R1/ / R 2 + r i
bZ)i = R1 / / R 2
v
cZ)=0 ( v = 0 => v = 0)
0 i i gs
K t qu 0 tương t như trên.
=>Z0 = Rd/ / R L
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 26
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 27
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 28
v L
a) A v =
v i
= gm. r d s
.vgs= ri dsds . + R S //. Ri Lds
.v
g s (1)
= >id s =
rds+ R S/ / R L
v
vL v L id s g s
= > Av = = . .
vi i dsv gsv i
Nh n xét: s tìm ñư c n u tìm ñư c t l
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 29
vg
• D làm hơn: tìm
vi
• Như v y ta s chuy n v gs thành v g
vgs= vv g − s = v g − R s/ / Ri L . ds
.v− .( R // Ri )
=>i = g S L ds
ds r+ R/ / R
• Thay vào (1): ds S L
=>idsds.()() r + R s //R L = . v g − RRi s / /L . d s
.vg
=> ids =
rds+(1 + ).() R s / / R L
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 30
v
vL v L ids g
=>==Av . . =
vi i ds v g v i
= RS/ / R L .
rds+(1 + ).() R sL / / R
b) Z i = ∞
v0
cZ)0 = ( vgs =− v s =− v 0 ) Áp d ng KVL, ta có
i0
v0
−+−vi0 0 rvds −= 0 0
R S
rds v0 rRds. S
=>=++i0(1 ) v 0 => =
RS i0 ()1+ . RrirS + ds ..0 ds
r/() + 1 . R r
=>=Zds S = R / / ds
0 r S
ds + R + 1
+ 1 S
4/2/2013 Khoa ði n – ði n t ðHBK Tp.HCM 31
Av= R S/ / R L .
rds+(1 + ).() R sL / / R
• Thư ng ch n
:Kho ng 50k~100k (ch n 50k)
(Ch n 3k)
=>RS/ / R L ≈ 1.5 k
−3 − 1
gm≈2.10 =>