Bài giảng Điện tử công suất - Chương 1: Mở đầu (Mới)

CHƯƠNG1:MĐU LINHKU NðI NT CÔNGSU TT oo LINHKINðINTCÔNGSUT
Các linh kiện công suất giao hoán có những đặc tính sau: 1.1. ðc tính ca công tc bán dn • Tốc độ giao hoán nhanh. • Giảm thiểu công suất tiêu tán. 2.2. DiodeDiodecôngcông sut • Chophép điều khiển các tải nặng (dòng tải lớn 3.3. TransistorTransistorcôngcông sut hayđiện trở tải nhỏ). • Có gắn các bộ vixử lý,viđiều khiển hoặc PLC. H4.4. rotsyiTrhThyristor H • Các linh kiện công suất giao hoán thông dụng 5.5. Tng kt là:Diode,Transistor,Mosfet,SCR,TRIAC,GTO, SCS,IGBT,MCT 11:33AM 11 11:33AM 22 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0)
Do tính chất của chất bán dẫn nên khi v,i chịu tác động của xung kích, dạng sóng ngõ HiệuđiệnthếV ra có dạng như ở hình t DòngđiệnI
Đặc tuyến giao hoán được biểu diễn từ t t off swon trạng thái tắt (off ) sang trạng thái dẫn (on ) và từ trạng thái dẫn (on ) sang trạng thái ngưng11:33AM (off ) 33 11:33AM 44 1 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN o o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) v,i v,i HiệuđiệnthếV HiệuđiệnthếV t t DòngđiệnI DòngđiệnI toff tswon toff tswon ton 11:33AM 55 11:33AM 66 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN o o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) v,i v,i HiệuđiệnthếV DòngđiệnI Chọnt=0 t t DòngđiệnI HiệuđiệnthếV toff tswon ton tswoff toff tswon ton tswoff  t  t v = V 1−  i = I  tswon  tswon 11:33AM 77 11:33AM 88 2 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN o o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) v,i v,i p p poff=0 pswon on=0 swoff Côngsuấtp DòngđiệnI DòngđiệnI Chọnt=0 Chọnt=0 t t HiệuđiệnthếV HiệuđiệnthếV toff tswon ton tswoff toff tswon ton tswoff toff tswon  t  t  t  t  t  t  v = V 1−  i = I v = V 1−  i = I p = vi = VI1−    t  t  t  t     swon  swon  swon  swon  tswon  tswon  11:33AM 99 11:33AM 01 01 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0)
Năng lượng thất thoát trong thời gian v,i tswon 1 W = pdt = VIt khởi dẫn bằng: swon ∫ swon HiệuđiệnthếV 0 6
Năng lượng thất thoát trong thời gian DòngđiệnI t r swoff 1 t khởi ngưng: Wswoff = pdt = VItswoff ∫ toff tswon ton 0 6
Năng lượng thất thoát tổng cộng trong 1 chu kỳ giao hoán bằng: Wsw = Wswon +Wswoff = VI(tswon + t swoff ) 6 11:33AM 11 11 11:33AM 21 21 3 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN o o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) v,i v,i HiệuđiệnthếV DòngđiệnI F DòngđiệnI r HiệuđiệnthếV F t t toff tswon ton toff tswon ton 11:33AM 31 31 11:33AM 41 41 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN o o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) v,i v,i DòngđiệnI F DòngđiệnI F Chọnt=0 HiệuđiệnthếV F HiệuđiệnthếV F t t toff tswon ton tswoff toff tswon ton tswoff t t  t   t      i = I ;v = −(V −V f ) + V = V 1−  +V f   tswon tswon  tswon   tswon  11:33AM 51 51 11:33AM 61 61 4 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN o o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) Trường hợp công tắc không lý tưởng (Vf ≠0) p v,i v,i swon pswoff Côngsuấtp p ≠0 poff ≠0 on DòngđiệnI F DòngđiệnI F Chọnt=0 HiệuđiệnthếV Chọnt=0 HiệuđiệnthếV F F V t t F toff tswon ton tswoff toff tswon toff tswon ton tswoff t t  t   t  i = I ;v = −(V −V ) + V = V 1−  +V   t t  t   t  t f t  t  f  t  i = I ;v = −(V −V ) + V = V 1−  +V   swon swon  swon   swon  t f t  t  f  t  swon swon  swon   swon  t t 2 p = vi = VI − ()V −V f I 2 tswon tswon 11:33AM 71 71 11:33AM 81 81 1.ð CTÍNHCÔNGT CBÁND NN 2.DIODECÔNGSU TT
Năng lượng thất thoát trong thời gian o Diode chnh lưu t swon 1 1 1  1  W = pdt = VIt + V It = VI +V I t khởi dẫn bằng: swon ∫ swon f swon  f  swon
Diode công suất hoạt động như diode 0 6 3 3  2 
Năng lượng thất thoát trong thời gian công suất nhỏ (nối pn) nhưng với dòng t swoff 1 1 1  1  điện lớn từ vài chục đến vài trăm Ampe. khởi ngưng: Wswoff = pdt = VItswoff + V f Itswoff =  VI +V f I tswoff ∫ 6 3 3  2  0 J
Năng lượng thất thoát tổng cộng trong AKp n 1  1  Wsw = Wswon +Wswoff =  VI +V f I ()tswon + tswoff chu kỳ giao hoán bằng: 3  2  11:33AM 91 91 11:33AM 02 02 5 2.DIODECÔNGSU TT 2.DIODECÔNGSU TT o Phân cực Diode • Phân cc thu n o Thời gian phục hồi: • Phân cc ngh ch Khi diode đang dẫn thình lình chuyển sang p p n n trạng thái ngưng, diode không thể ngưng ngay mà có thời gian chuyển tiếp do sự hồi Etx Etx Engoài Engoài + + phục của các hạt tải trong nối pn làm dòng và thế có dạng như hình 11:33AM 12 12 11:33AM 22 22 2.DIODECÔNGSU TT 2.DIODECÔNGSU TT o ĐồthịthờigianchuyểntiếpcủaDiode o Công suất thất thoát của diode công suất di R/dt di F/dt Q =I .t /2 PT = PON + POFF + Psw IF rr RM rr 0,25.I RM t tON I P = V I RM ON F F T t t 3 4 t5 trr t VON OFF V P = V I F OFF R R T t V t t R 1 2 S=t /t VRM 1 5 4 P = P + P = V I ()t + t f sw swon swoff 6 CC F swon swoff 11:33AM 32 32 11:33AM 42 42 6 2.DIODECÔNGSU TT 2.DIODECÔNGSU TT o DiodeSchottky o DiodeSchottky Diode • Diodeschottky đóng ngắt tốt ởtần số cao schottky • VD nhỏ hơn bình thường,chỉ 0.30.5V thường • DiodeSchottky dùng kim loại bán dẫn được chế điện tạo bằng • DiodeSchottky thường gặp là 1N5817 Cấutạo– Kýhiệu chất GaAs 11:33AM 52 52 11:33AM 62 62 2.DIODECÔNGSU TT 3.TRANSISTORCÔNGSU TT o DiodeSchottky o BJT(BipolarJunctionTransistor) I (mA) Diode D Diode (silicon) Schottky B E B E p p p n n n n n p p p n VD(Volt) 0 0,2 0,4 0,6 0,7 p n C C collector collector Diode Diode Schottky (silicon) PNP NPN base base BJT BJT emitter emitter 11:33AM 72 72 11:33AM 82 82 7 3.TRANSISTORCÔNGSU TT 3.TRANSISTORCÔNGSU TT o Đặc tuyến của BJT o Trạng thái đóng ngắt của transistorcông suất 11:33AM 92 92 11:33AM 03 03 3.TRANSISTORCÔNGSU TT 3.TRANSISTORCÔNGSU TT o Mch bo v BJT ic o Công suất thất thoát của BJT VCC Ic • Khi transistor dẫn bão hòa, ta có: t tON tON D R i 0 t P = ()V I +V I ≈ V I s f ON CEbh CM BEbh B T CEbh CM T Is • Khi transistor ngưng dẫn và dòng rỉ Ir B Q t t v 0 t P = V I OFF Cs CE f rất bé, ta có: OFF CC r T 1 P = P + P = V I ()t + t f t sw swon swoff 6 CC F ()max swon swoff 11:33AM 13 13 11:33AM 23 23 8 3.TRANSISTORCÔNGSU TT 3.TRANSISTORCÔNGSU TT o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) o MOSFET: hình thành hai dòng song song như sơ đồ cấu trúc tương đương 11:33AM 33 33 11:33AM 43 43 3.TRANSISTORCÔNGSU TT 3.TRANSISTORCÔNGSU TT o Đặc tuyến của MOSFET o Hoạt động của MOSFET Ngu nnVVG1 G1 11:33AM 53 53 11:33AM 63 63 9 3.TRANSISTORCÔNGSU TT 3.TRANSISTORCÔNGSU TT o Hoạt động của MOSFET o Hoạt động của MOSFET Ngu nnVVG2 G2 Ngu nnVVG3 G3 11:33AM 73 73 11:33AM 83 83 3.TRANSISTORCÔNGSU TT 3.TRANSISTORCÔNGSU TT o Mch bo v cho MOSFET o Công suất thất thoát của MOSFET • Khi MOSFET dẫn bão hòa, ta có: t P = I 2 R ON ON D DS ()on T • Khi MOSFET ngưng dẫn và dòng rỉ Ir t P = V I OFF Mạch RC nhỏ mắc songsong với ngõ ra của linh rất bé, ta có: OFF DS max r T kiện để hạn chế tác dụng các dãy điện áp và các 1 P = P + P = V I ()t + t f sw swon swoff 6 nguon F ()max swon swoff xung nhiễu dao động xuất hiện khi linh kiện đóng 11:33AM 93 93 11:33AM 04 04 10 3.TRANSISTORCÔNGSU TT 3.TRANSISTORCÔNGSU TT o IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor) o Mạchtươngđương IGBT oLà linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor với điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của MOSFET: Cáchđin E E G E nn n n p p n- G p+ C C 11:33AM 14 14 11:33AM 24 24 3.TRANSISTORCÔNGSU TT 3.TRANSISTORCÔNGSU TT o Đặctuyếncủa IGBT o Công trên tải 2 VL • Công suất trung bình cấp cho tải: PL = RL V t V = cc ON Với thời gian dẫn tON , ta có: L T V 2  t  s  ON PL =    RL  T o Công suất tiêu tán tổng cộng giao hoán: Psw = Pswon + Pswoff = 1 6(VCE max .Icmax )(tswon + tswoff )f sw 11:33AM 34 34 11:33AM 44 44 11 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR Gồmcáclinhkiệncôngsuấtcócấutrúcgầnvới o SCR(SiliconControlledRectifier) Thyristor(SCRgọitheophòngthínghiệmBelltừnăm J 1 J2 J3 1956)vàcáclinhkiệnkíchchocáclinhkiệncông A K p n p n suấttheobảngtómtắtsau: 1 1 2 2 HọThyristor Mạchkích UJT Đơnhướng Lưỡnghướng (4lớp) (5lớp) Đơnhướng Lưỡnghướng (4lớp) SCR SCS LASCR TRIAC (5lớp) (3lớp) 0,81000A 0,2A 0,7A 0,580A SUS SBS Diac 1001000V 100V 100600V 100600V 0,2A Diode 0,2A 0,2A 610V Shockley 610V 610V 11:33AM 54 54 11:33AM 64 64 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR i J1 J2 J AK 3 o SCR (không p p A 1 n1 2 n2 K o Có thể xem SCR như gồm 2 transistor thông dụng) npn và pnp ghép “ khoá chặt” như ở hình i loại kích dòng AG G đi ra cực G n1 n2 K o SCR (thông iAK J1 J2 J3 T + _ 2 dụng) loại kích A p1 n1 p2 n2 T1 α 2 IG + (ICBO1 + ICBO2 ) K I = p p A 1 2 1− ()α1 +α 2 dòng đi vào i A G GK G cực G + 11:33AM 74 74 11:33AM 84 84 12 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o Đặctuyếncủa SCR Để làm SCR từ ngưng dẫn sang dẫn: • Tăng điện thế AK, làm tăng dòng rỉ ICBO , làm xảy ra hiện tượng huỷ thác . • Tăng dòng cửa IG để các transistor nhanh chóng đi vào dẫn bảo hoà • Tăng nhiệt độ t0 mối nối làm tăng dòng trong T1, T2 • Tăng tốc độ tăng thế dV/dt tạo dòng nạp cho điện dung nối pn • Sử dụng năng lượng quang học như ánh sáng để làm dẫn các SCR quang (LASCR – Light actived SCR) 11:33AM 94 94 11:33AM 05 05 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o TRIAC(TriodeAlternativeCurrent) Để làm SCR từ dẫn sang ngưng dẫn: MT MT MT • Cắt bỏ nguồn cấp điện VAK . 2 2 2 MT 2 P MT 2 • Thắng động lực: dùng một bộ phận có điện trở N1 P1 N MT 2 N P thật nhỏ mắc song song với SCR để tạo ra dòng N G G G 2 P G G N G P MT MT IA < IH N 2 MT 1 1 1 3 N4 N P • Tạo VAK < 0 (dòng xoay chiều, xung giao MT MT MT 1 1 1 hoán) 11:33AM 15 15 11:33AM 25 25 13 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o CóthểxemTriacnhưgồm2SCRghép o Đặctuyếncủa Triac đốisongnhưngchỉcó1cổngkíchchung. T1 T U 1 Z Z U1 T2 MT 1 MT 2 MT 2 MT 1 G G 11:33AM 35 35 11:33AM 45 45 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o Bốn kiểu hoạt động của Triac: o Các cách kích Triac: KiuI+ KiuI KiuII+ KiuII Vì Triac dẫn trong cả 2 chiều nên cách kích VMT1MT2 >0 VMT1MT2 >0 VMT1MT2 <0 VMT1MT2 <0 bằng điện DC ít thông dụng hơn cách kích IG >0 IG 0 IG <0 bằng điện AC và bằng xung. (Dòng vào) (Dòng ra) (Dòng vào) (Dòng ra) Mạch tạo xung được tạo nên từ UJT, IC Dòng từ Dòng từ Dòng từ Dòng từ MT1>MT2 MT1>MT2 MT2>MT1 MT2>MT1 555, mạch số, Flip flop, nhưng đặc biệt vẫn là mạch dùng DIAC. 11:33AM 55 55 11:33AM 65 65 14 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o MCT (Mosfet Controlled Thyristor) có cấu o MCT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác tạo kết hợp công nghệ của thyristor với ưu động nhanh và công suất lớn của SCR với điểm tổn hao dẫn điện thấp và khả năng điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của chịu áp cao của với khả năng đóng ngắt nhanh. MOSFET Mosfet. Có 2 loại MCT: NMCT và PMCT, do cách ghép của 2 Mosfet làm cổng như hình 11:33AM 75 75 11:33AM 85 85 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o Đặc tính đóng ngắt của MCT: có đặc o tuyến như SCR cổ điển vì không dẫn ở điện Khả năng chịu tải của MCT: thế nghịch hình MCT được áp dụng cho các trường hợp yêu cầu điện trở và độ tự cảm nhỏ với khả năng chịu được dòng điện lớn và di/dt cao. MCT được sử dụng làm thiết bị phóng nạp điện cho máy bay, xe ô tô, tàu thủy, nguồn cung cấp tivi. 11:33AM 95 95 11:33AM 06 06 15 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o GTO (Gate turn – off Thyristor) GTO được kích đóng bằng xung dòng điện tương Có cấu tạo phức tạp hơn tự như khi kích đóng SCR thông thường. Dòng điện SCR cổ điển để có thể tắt kích đóng được tăng đến giá trị IGM và sau đó giảm SCR đang dẫn bằng cách xuống đến giá trị I . cho xung âm vào cực G G (mà trước đó đã làm SCR dẫn bằng cách xung dương vào G) hình 11:33AM 16 16 11:33AM 26 26 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o Kích mở GTO o Kích đóng GTO Để kích ngắt GTO, Điểm khác biệt xung dòng điện so với yêu cầu âm lớn được đưa xung kích đóng vào cổng G – SCR là dòng cathode với độ dốc kích i phải tiếp G (di /dt ) lớn hơn tục duy trì GQ giá trị qui định của trong suốt thời linh kiện, nó đẩy gian GTO dẫn các hạt mang điện điện. khỏi cathode 11:33AM 36 36 11:33AM 46 46 16 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR Quá trình ngắt GTO đòi hỏi sử dụng xung dòng o kích đủ rộng. Điều này dẫn đến thời gian ngắt dài, IGCT (Integrated GateCommutated Thyristor) khả năng di/dt và dv/dt của GTO thấp. Vì thế, cần • Sự cải tiến công nghệ chế tạo GTO thyristor đã phải giới hạn các trị số hoạt động không vượt quá dẫn đến phát minh công nghệ IGCT. giá trị an toàn trong quá trình ngắt GTO • GCT (Gate Commutated Thyristor) là một dạng phát triển của GTO với khả năng kéo xung dòng điện lớn bằng dòng định mức dẫn qua cathode về mạch cổng trong GCT để đảm bảo ngắt nhanh dòng điện. Cấu trúc của GCT và mạch tương đương của nó giống như của GTO. • IGCT là linh kiện gồm GCT và có thêm một số phần tử hỗ trợ, bao gồm cả board mạch điều khiển và có thể gồm cả diode ngược. 11:33AM 56 56 11:33AM 66 66 4.H THYRISTOR 4.H THYRISTOR o Đặc tuyến của IGCT IGCT có thể tích hợp diode ngược bằng mối nối Quá trình ngắt dòng n+np được vẽ trên hình. Diode ngược cần thiết điện của IGCT bởi trong cấu tạo của các bộ nghịch lưu áp. tác dụng xung dòng kích cổng được vẽ A minh họa trên hình. Để có thể so sánh với quá trình ngắt dòng của GTO, đồ G thị của dòng cổng G KK được vẽ cho hai trường hợp. 11:33AM 76 76 11:33AM 86 86 17 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o UJT (Unijunction Transistor) o UJT (Unijuncton Transistor) Cựcnền B Khi cp ñin 2 UJT còn gọi là Khi chưa cp ñin B N 2 B transistor đơn nối. Cực 2 B2 R phát P Tiếpxúc Có công suất thấp D B2 D RB2 E E PN E nên chỉ xếp vào loại F VBB E F B linh kiện điều khiển V RB1 1 R EE công suất. B1 Cựcnền B1 B1 B1 Cu to – Ký hiu R V = B1 V =ηV RBB = RB1 + RB2 F BB BB RB1 + RB2 11:33AM 96 96 11:33AM 07 07 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o UJT (Unijuncton Transistor) o UJT (Unijuncton Transistor) V ðc tuyn UJT Phân cc UJT 1 V 1 R2 VE V1 Vùng R2 Vùngdẫn Vùngbãohòa R ngưng V 2 P VE VBB =15v E VBB =10v E VBB =5v R1 R1 V =0v Vv BB IE I P Iv IEbh 10 A 2,5mA 50mA Mch dao ñng thư giãn 11:33AM 17 17 11:33AM 27 27 18 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o PUT (Programmable Unijunction Transistor) o PUT (Programmable Unijunction Transistor) Phân cc PUT A Khi V <V :PUTngưng V AK P PUT giống như một UJT VAA BB P IA Khi V >V :mốinốiAG K RB2 AK P I N có đặc tính thay đổi G bắtđầudẫn G R P G N G được. Tuy vậy về cấu R A B1 RTH V K tạo, PUT khác hẳn UJT BB Cu to và ký hiu R và cách hoạt động cũng η = B1 K R + R B2 B1 RB1RB2 RTH = RB1 // RB2 = khác VG = ηVBB RB1 + RB2 11:33AM 37 37 11:33AM 47 47 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o PUT (Programmable Unijunction Transistor) o SCS (Silicon Controlled Switch) Mch dao ñng thư giãn Cu to – mch tương ñương – ký hiu VA GA VP J J J 1 2 3 GA K V A K GK BB n1 n2 K VV p n p n t 1 2 T 1 2 T 2 R V p 1 p R G 1 2 B2 ηVBB A G A A GK Xả RB1 GK t C V K SCS còn được gọi là Tetrode thyristor (thyristor có 4 cực) t 11:33AM 57 57 11:33AM 67 67 19 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o SCS (Silicon Controlled Switch) o DIAC (Diode AC) • SCS dẫn ở điện thế dương cấp cho anod A2 Cu to – ký hiu A A2 A2 2 N1 P và cho xung dương vào GK. 1 • SCS đang dẫn, muốn làm tắt hoặc cho N2 xung âm vào GK, hoặc cho xung dương P A 2 1 A N3 1 A1 vào GA. A1 • SCS hoạt động có: I =0,2A; V =100V. A RM DIAC giống hai SCR không có cực cổng hay • SCS ứng dụng trong điều khiển công đúng hơn là một transistor không có cực nền suất nhỏ, dao động thư giãn. 11:33AM 77 77 11:33AM 87 87 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o DIAC (Diode AC) o DIAC (Diode AC) I • Cách hoạt động như gồm có 2 SCR A Đặc tuyến DIAC (n1p1n2p2 và n3p2n2p1) nhưng không có cổng kích G I V BR • VBR =28V ÷ 40V BR I BR VBR VA1A2 • IBR =I H =vài trăm A • DIACtương đương với hai DiodeZener mắc đối đầu 11:33AM 97 97 11:33AM 08 08 20 5.MST STLINHKI NKHÁC 5.MST STLINHKI NKHÁC o Diode Shockley o Diode Shockley + A ðc tuyn V/A Diode shockley đặc tuyến Cu to – ký hiu IA IA giống như SCR lúc dòng J J J 1 2 3 + K cổng I =0V A p p Vf G 1 n1 2 n2 _ Khi điện thế I BO anodcatod tới trị Diode shockley gồm có 4 lớp bán _ K VAK số V thì diode VBO BO dẫn PNPN (diode 4 lớp) nhưng chỉ shockley bắt đầu có hai cực dẫn 11:33AM 18 18 11:33AM 28 28 6.T NGK TT 6.T NGK TT
Khả năng hoạt động của các linh kiện bán dẫn công suất được so sánh theo công suất mang tải oThống kê và tốc độ đóng ngắt được minh họa ở hình dựa số liệu tra theo số liệu tra cứu năm 19981999 của hãng cứu năm EUPEC. 19981999
Linh kiện GTO công suất lớn được sản xuất với của hãng khả năng chịu được điện áp/dòng điện từ 2,5 EUPEC. 6kV/16kA. GTO còn được chế tạo chứa diode ngược với tổn hao thấp, khả năng chịu điện áp/dòng điện của nó đạt đến 4,5kV/3kA. 11:33AM 38 38 11:33AM 48 48 21 6.T NGK TT 6.T NGK TT
Linh kiện IGCT đươc chế tạo gần đây có khả
Các thyristor cho nhu cầu thông thường đươc năng chịu được điện áp/ dòng điện 6kV/6kA với chế tạo với khả năng chịu được điện áp thay đổi khả năng chuyển mạch gần như toàn bộ dòng từ 400V đến 12kV và dòng điện từ 1000A đến điện sang mạch cổng khi kích ngắt. 5kA. Đối với nhu cầu đóng ngắt nhanh, khả năng
Các diode cho nhu cầu thông thường đươc chế dòng đạt đến 8001.500A và điện áp 1.200 tạo với khả năng chịu được điện áp thay đổi từ 2.500V. 500V đến 4kV và dòng điện từ 60A đến 3,5kA. Đối
Các linh kiện IGBT dạng modul được chế tạo với với nhu cầu đóng ngắt nhanh khả năng dòng đạt khả năng chịu được điện áp/ dòng điện 1,7 đến 8001.700A và điện áp 2.8006.000V. 3,3kV/4001.200A. 11:33AM 58 58 11:33AM 68 68 KT THÚC CHƯƠNG II CHNHLƯUMT PHA 11:33AM 78 78 22