Giáo trình Kỹ thuật điện tử cơ bản (Phần 2) (Nghề: Điện dân dụng - Trình độ: Cao đẳng)

(Bản scan) Trên nển đế là đơn tinh thể bán đẩn tạp chất loại p (Si-p), người ta pha tạp chất bằng phương pháp công nghệ đặc biệt (plana, Epitaxi hay khuếch tán ion) để tạo ra 2 vùng bán dẫn loại n+ (nồng độ pha tạp cao hơn so với đế) và lấy ra hai điện cực là D và S. Hai vùng này được nối thông với nhau nhờ một kênh dẫn điện loại n có thể hình thành ngay trong quá trình chế tạo (loại kênh đặt sẵn hình 18.2a) hay chỉ hình thành sau khi đã có 1 điện trường ngoài (lúc làm việc trong mạch điện) tác động (loại kênh cảm ứng - hình 18.2 b). Tại phần đối diện với kênh dẫn, người ta tạo ra điện cực thứ ba là cực cứa G sau khi đã phủ lên bề mặt kênh 1 lớp cách điện mỏng SiO_2. Từ đó MOSFET còn có tên là loại FET có cực cưa cách li (IGFET). Kênh dẫn được cách li với đế nhờ tiếp giáp pn thường được phân cực ngược nhờ 1 điện áp phụ đưa tới cực thứ 4 là cực đế.