Bài giảng Điện tử công suất - Chương 8: Bảo vệ và điều khiển các thiết bị biến đổi

Quá áp trong Sự tích tụ điện tích trong các lớp bán dẫn (quá trình động của diode và thyristor) Bảo vệ bằng mạch R – C đấu song song với diode hoặc thyristor

pdf9 trang | Chia sẻ: Tiểu Khải Minh | Ngày: 20/02/2024 | Lượt xem: 22 | Lượt tải: 0download
Bạn đang xem nội dung tài liệu Bài giảng Điện tử công suất - Chương 8: Bảo vệ và điều khiển các thiết bị biến đổi, để tải tài liệu về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
CHƯƠNG 8: BẢO VỆ VÀ ĐIỀU KHIỂN CÁC THIẾT BỊ BIẾN ĐỔI 8.1 Bảo vệ các phần tử điện tử công suất 8.1.1 Công suất tổn thất và làm mát 1 2 1P p p p∆ = ∆ + ∆ ≈ ∆ P∆ Công suất tổn thất 1p∆ Công suất tổn thất chính 2p∆ Công suất tổn thất phụ 2 0 ( )T AV FP U I R I∆ = + j a th th jv vr ra T T R P R R R R = + ∆ = + + Nhiệt độ mặt ghép Tj Nhiệt độ mặt ghép Ta Nhiệt độ không khí môi trường Rjv Điện trở nhiệt giữa mặt ghép và vỏ linh kiện bán dẫn Rvr Điện trở nhiệt giữa vỏ và cánh tản nhiệt Rra Điện trở nhiệt giữa cánh tản nhiệt và không khí môi trường Làm mát: • Cánh tản nhiệt • Cánh tản nhiệt + quạt gió • Cánh tản nhiệt + nước • Ngâm trong dầu biến thế 8.1.2 Bảo vệ dòng điện Cầu chì: • CC phải chịu được dòng làm việc định mức của thiết bị • Nhiệt dung chịu đựng của CC phải nhỏ hơn nhiệt dung của thiết bị cần bảo vệÆ nhiệt lượng (I2t)CC < (I2t)TB •Điện áp hồ quang của CC phải tương đối lớn Æ Giảm nhanh dòng điện và tiêu tán năng lượng trong mạch. • Khi CC đứt, điện áp phục hồi phải đủ lớn Æ Không làm cho hồ quang cháy lại giữa hai cực của cầu chì Lắp đặt: có nhiều cách • Từng pha của cuộn dây sơ cấp hoặc thứ cấp MBA • Nối tiếp với từng van • Nối tiếp với từng nhóm van mắc song song • Đầu ra của thiết bị biến đổi 8.1.3 Bảo vệ quá áp Quá áp trong Sự tích tụ điện tích trong các lớp bán dẫn (quá trình động của diode và thyristor) Î Bảo vệ bằng mạch R – C đấu song song với diode hoặc thyristor Quá áp ngoài Cắt không tải MBA trên đường dây, CC bảo vệ nhảy, sấm sét, Î Bảo vệ bằng mạch R – C mắc giữa các pha thứ cấp của MBA động lực • R .. 10 – 1000 Ω • C 0.01 – 1 µF 8. 2 Điều khiển các thiết bị biến đổi 8.2.1 Khuyếch đại thuật toán 2 1 r v Ru u R = − Khuyếch đại đảo Mạch so sánh ... ... cc r cc U u u u U u u − + + − − >⎧= ⎨+ >⎩ Mạch tích phân 1 r vu u dtRC = − ∫ - + R C ur v r duu RC dt = − Mạch vi phân 8.2.2 Mạch tạo xung chuẩn sử dụng IC 555 1 1 2 2 2 1 2 1 2 0.693 ( ); 0.693 0.693 ( 2 ) t C R R t CR T t t t C R R = + = = = + = + Mạch lật đơn sử dụng IC 555 1.1T RC= 1 3 cc V−

Các file đính kèm theo tài liệu này:

  • pdfbai_giang_dien_tu_cong_suat_chuong_8_bao_ve_va_dieu_khien_ca.pdf
Tài liệu liên quan