Bài giảng Điện tử cơ bản - Chương 1: Linh kiện điện tử thụ động

CH ƯƠ NG 1. LINH KIỆN Đ IỆN TỬ THỤ Đ ỘNG Đ1.1 ĐIỆN TRỞ VÀ BIẾN TRỞ 1. Cấu tạo - Ký hiệu – Phân loại a) Cấu tạo - Bên trong là 1 ống sứ - ở giữa là lớp bột than nối vào 2 chân ra bằng kim loại. - Ngoài cùng là các vòng màu thể hiện giá trị của đ iện trở. Màu đ iện trở Chân bằng kim loại Bột than ỐNG SỨ b) Ký hiệu R Trong đ ó: R là Resistor c) Phân loại Điện trở cố đ ịnh Điện trở biến đ ổi 2. Công dụng – Thông số kỹ thuật a) Công dụng - Dùng đ ể phân dòng I = I 1 + I 2 R 1 R 2 I 1 I 2 I U AB I A B - Dùng đ ể phân áp R 1 R 2 U 2 U AB U 1 B A I U AB = U 1 + U 2 U 1 = I.R 1 ; U 2 = I.R 2 b) Thông số đ ặc tr ư ng của đ iện trở: - Trị số danh đ ịnh: Là trị số đ iện trở đ o đư ợc trong đ iều kiện bình th ư ờng, trị số đ iện trở có thể từ vài ôm đ ến vài triệu ôm (  ) và đư ợc ghi ngay trên thân đ iện trở bằng chữ hoặc vạch mầu. - Dung sai: Là đ ộ sai số của đ iện trở, th ư ờng có 3 cấp  5%,  10%,  20% ngoài ra còn có đ iện trở đ ặc biệt dùng cho các máy đ o có dung sai  1%,  2% - Công suất danh đ ịnh: Là công suất tối đ a có thể tiêu tán trên đ iện trở mà không làm hỏng đ iện trở khi nhiệt đ ộ của không khí xung quanh là 20  C. Công suất này bao giờ cũng phải lớn h ơ n hoặc bằng công suất tiêu thụ của đ iện trở.(P = U.I). 3. Đọc giá trị đ iện trở - Bảng quy ư ớc mã màu quốc tế Mµu Sè t­¬ng øng Mµu Sè t­¬ng øng §en 0 Xanh thÉm 6 N©u 1 TÝm 7 §á 2 X¸m 8 Cam 3 Tr¾ng 9 Vµng 4 Vµng kim ±5% Xanh nh¹t 5 Nhò b¹c ±10% a) Điện trở có 4 vòng màu  - Vòng 1: Sát đầu điện trở, chỉ số thứ nhất. - Vòng 2: Chỉ số thứ 2. Vòng 3: Bội số. ( sè sè 0 thªm vµo ). Vµng kim 10 -1 , nhò b¹c 10 -2 . - Vòng 4: Sai số tính theo %: Vµng kim sai sè ±5% , nhò b¹c sai sè ±10%, nếu không có vòng thứ 4 thì sai số là 20%. Ví dụ 1: §iÖn trë nâu ® en cam vàng kim = 10K±5% 1 0 000 Ω ±5% Ví dụ 2 : Điện trở có giá trị 100K±5%  Nâu đ en vàng vàng kim nâu đ en vàng vàng kim 100K = 1 0 0000 Ω ±5% b) Điện trở có 5 vòng màu - Vòng 1: Sát đầu điện trở, chỉ số thứ nhất. - Vòng 2: Chỉ số thứ 2. - Vßng 3: ChØ sè thø 3. - Vòng 4: Bội số. (sè sè 0 thªm vµo). Vµng kim 10 -1 , nhò b¹c 10 -2 . - Vòng 5: Sai số tính theo %, nếu không có vòng thứ 5 thì sai số là 20%. Ví dụ 1: §iÖn trë = 102K±5% nâu ® en ® ỏ cam vàng kim 1 0 2 000 Ω ±5% Ví dụ 2 : Điện trở có giá trị 337K±5%  cam cam tím cam vàng kim cam cam tím vàng kim 337K = 3 3 7 000 Ω ±5% cam Câu hỏi kiểm tra Thời gian: 5 phút Điện trở 4 vòng màu: Bội số 10 -1 , 10 -2 đư ợc sử dụng khi nào? (Đánh dấu X vào ô đ úng) a) R > 10 Ω b) R  1 Ω c) R ≤ 1 Ω 2. Xác đ ịnh màu của những đ iện trở sau: a) 1K ± 5% b) 133 Ω ± 5% c) 0,1 Ω ± 5% 3. Xác đ ịnh giá trị đ iện trở thực tế - Vßng thø nhÊt:. - Vßng thø 2:.. - Vßng thø 3:... - Vßng thø 4:. - Gi¸ trÞ ®iÖn trë:. ĐÁP ÁN 1. Điện trở 4 vòng màu: Bội số 10 -1 , 10 -2 đư ợc sử dụng khi: c) R ≤ 1 Ω X 2. Màu của những đ iện trở nh ư sau: a) 1K ± 5% b) 133 Ω ± 5% c) 0,1 Ω ± 5% a) Điện trở có 4 vòng màu - Vũng 1: Sỏt đầu điện trở, chỉ số thứ nhất. - Vũng 2: Chỉ số thứ 2. - Vũng 3: Bội số. (số số 0 thêm vào). Vàng kim 10 -1 , nhũ bạc 10 -2 . - Vũng 4: Sai số tớnh theo %: Vàng kim sai số ±5% b) Điện trở có 5 vòng màu - Vòng 1: Sát đ ầu đ iện trở, trị số thứ nhất - Vòng 2: Chỉ số 2. - Vòng 3: Chỉ số thứ 3. - Vòng 4: Bội số. (số số 0 thêm vào). Vàng kim 10 -1 , nhũ bạc 10 -2 . - Vòng 5: Sai số tính theo%: Vàng kim sai số ±5% 3. Xác đ ịnh giá trị đ iện trở thực tế - Vòng thứ nhất: Đỏ - Vòng thứ 2: Đỏ - Vòng thứ 3: Cam - Vòng thứ 4: Vàng kim - Giá trị đ iện trở: 22K ± 5% * Câu hỏi và bài tập:  1. Trình bày cấu tạo, tác dụng của đ iện trở? Việc rẽ dòng, phân áp có tác dụng gì trong thực tiễn? 2. Vì sao phải đ ọc giá trị đ iện trở? Cách đ ọc nh ư thế nào? Lấy 10 ví dụ minh hoạ? (5 chiếc 4 vòng màu, 5 chiếc 5 vòng màu). 3. Đọc giá trị các đ iện trở thực tế sau: Mỗi HS đ ọc 10 đ iện trở thực tế. 1.2 TỤ Đ IỆN Cấu tạo – Ký hiệu – Phân loại a) Cấu tạo - Cấu tạo tụ không phân cực gồm các lá kim loại xen kẽ với các lá làm bằng chất cách đ iện dùng làm đ iện môi (hình4) , chất cách đ iện thông th ư ờng là: Giấy, mi ca, dầu, gốm, không khí...và đư ợc lấy làm tên gọi cho tụ đ iện. - Tụ đ iện phân cực cấu tạo gồm hai đ iện cực tách rời nhau nhờ một màng mỏng chất đ iện phân, khi có đ iện áp một chiều tác đ ộng lên hai đ iện cực sẽ xuất hiện một màng oxit kim loại không dẫn đ iện làm chất đ iện môi. - Lớp đ iện môi càng mỏng thì đ iện dung của tụ càng lớn, đ ây là loại tụ có cực tính xác đ ịnh nên khi lắp phải đ úng với cực của nguồn đ iện. b) Ký hiệu c) Phân loại Tụ cao tần Tụ âm tần 2. Thông số kỹ thuật, công dụng a) Thông số kỹ thuật Điện dung (là khả n ă ng chứa đ iện của tụ): C =  .S/d Trong đ ó:  là hằng số đ iện môi S là diện tích bản cực (m2) d là bề dày lớp đ iện môi (m) Đ ơ n vị của đ iện dung là Farad (F), nh ư ng 1F rất lớn nên thực tế th ư ờng dùng ư ớc số của F là: microfarad +1F = 1000 000  F nanofarad +1F = 1000 000 000 nF picrofarad +1F = 1000 000 000 000 pF (trị số của tụ th ư ờng từ 1.8PF đ ến 10 000  F - Điện áp đ ặt trên tụ luôn phải thấp h ơ n giá trị đ iện áp danh đ ịnh tối đ a mà tụ có thể chịu đ ựng đư ợc đ ể lớp đ iện môi giữa hai cực của tụ không bị đ ánh thủng. - Giá trị đ iện dung và đ iện áp đư ợc ghi trên thân của tụ (VD: 1  F/50v). b) Công dụng - Dùng đ ể lọc đ iện áp một chiều trong các mạch chỉnh l ư u - Dùng đ ể khởi đ ộng các đ ộng c ơ đ iện xoay chiều một pha - Cách li một chiều và truyền dẫn tín hiệu trong các mạch đ iện tử - Chế tạo các mạch cộng h ư ởng LC chọn lọc tần số... 3. Cỏch mắc Mắc nối tiếp - Mắc song song 3. Cuộn dõy a) Cấu tạo Gồm cuộn dây êmay và lõi (sát từ, Ferit, không khí) b) Ký hiệu Kí hiệu của cuộn cảm trên các s ơ đ ồ mạch đ iện: c) Phân loại Cuộn dây lõi không khí Cuộn dây lõi ferit Cuộn dây lõi sắt từ Cuộn dây biến áp cảm ứng Cuộn dây biến áp tự ngẫu c) ứng dụng Chế tạo máy biến áp Hạn chế dòng đ iện khi mở máy đ ộng c ơ xoay chiều Chế tạo các bộ lọc và bộ cộng h ư ởng Lọc nhiễu Lọc tần cao ổn đ ịnh dòng đ iện CH ƯƠ NG 2. CHẤT BÁN DẪN VÀ DIODE BÁN DẪN 2.1 VẬT LIỆU BÁN DẪN Đ IỆN I . CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN THUẦN KHIẾT A) ĐẶC Đ IỂM TÍNH CHẤT CỦA CHẤT BÁN DẪN TRONG NGÀNH VẬT LIỆU NG Ư ỜI TA CHIA LÀM BỐN NHÓM VẬT LIỆU LÀ: VẬT LIỆU DẪN Đ IỆN VẬT LIỆU CÁCH ĐIỆN Vật liệu bán dẫn đ iện Vật liệu dẫn từ. Nếu chỉ xét ba nhóm vật liệu đ ầu thì vật liệu bán dẫn đ iện có tính chất dẫn đ iện trung gian giữa vật liệu dẫn đ iện và vật liệu cách đ iện (gọi là chất bán dẫn). Hai chất bán dẫn thông dụng nhất là Silicium và Germanium có đ iện trở suất là:  Si = 10 14  mm 2 /m -  Ge = 8,9*10 12  mm 2 /m Trị số này rất lớn so với chất dẫn đ iện nh ư đ ồng (  Cu = 0.0172  mm 2 /m), Nh ư ng lại rất nhỏ so với chất cách đ iện nh ư thuỷ tinh (  = 10 18  mm 2 /m). - Điện trở của chất bán dẫn thay đ ổi rất lớn theo nhiệt đ ộ, ánh sáng và đ ộ tinh khiết. - Khi nhiệt đ ộ, c ư ờng đ ộ ánh sáng và nồng đ ộ tạp chất t ă ng thì đ iện trở của chất bán dẫn đ ều giảm. b) Cấu tạo nguyên tử và sự dẫn đ iện trong chất bán dẫn: (Si,Ge) Cấu tạo nguyên tử của Si có 14 đ iện tử bao quanh hạt nhân và chia làm 3 tầng, Cấu tạo nguyên tử của Ge có 32 đ iện tử bao quanh hạt nhân và chia làm 4 tầng. Hai chất này đ ều có đ ặc đ iểm chung là số đ iện tử vòng ngoài là 4 (hoá trị 4) Vì vậy trong khối bán dẫn tinh khiết các nguyên tử gần nhau liên kết theo kiểu cộng hoá trị. Bốn đ iện tử của mỗi nguyên tử liên kết với bốn đ iện tử của nguyên tử xung quanh làm cho các đ iện tử đư ợc liên kết chặt chẽ với nhau Các đ iện tử khó tách tách khỏi nguyên tử đ ể trở thành đ iện tử tự do. Vì vậy ở đ iều kiện bình th ư ờng chất bán dẫn không dẫn đ iện. Si Ge Si Si Si Si Si Điện tử 2. Chất bán dẫn tạp chất loại P Nếu pha vào chất bán dẫn tinh khiết Si một l ư ợng rất ít các chất có cấu tạo nguyên tử với 3 đ iện tử vòng ngoài cùng (hoá trị 3) nh ư Indium (hay Al) 3 đ iện tử của các nguyên tử In khi liên kết với 4 nguyên tử Si sẽ còn lại một mối nối thiếu một đ iện tử chỗ thiếu đ iện tử gọi là lỗ trống. (Số lỗ trống phụ thuộc vào số nguyên tử In) Số nguyên tử In càng nhiều thì số lỗ trống càng nhiều lỗ trống có khả n ă ng nhận đ iện tử. - Chất bán dẫn có lỗ trống đư ợc gọi là chất bán dẫn loại P (loại d ươ ng). In Si Si Si Si Lỗ trống Nếu pha vào chất bán dẫn tinh khiết Si một l ư ợng rất ít các chất có cấu tạo nguyên tử với 5 đ iện tử vòng ngoài cùng (hoá trị 5) nh ư Phosphor (hay Arsenic), 4 đ iện tử của các nguyên tử P sẽ liên kết với 4 nguyên tử Si còn lại một đ iện tử thừa ra sẽ trở thành đ iện tử tự do. (Số đ iện tử tự do phụ thuộc vào số nguyên tử P) số nguyên tử P càng nhiều thì số đ iện tử tự do càng nhiều. 3. Chất bán dẫn tạp chất loại N - Chất bán dẫn có đ iện tử tự do đư ợc gọi là chất bán dẫn loại N (loại âm) * Bình th ư ờng chất bán dẫn loại N và bán dẫn loại P đ ều trung hoà về đ iện Việc gọi chất bán dẫn N là nói đ ến khả n ă ng cho đ iện tử Gọi chất bán dẫn P là nói đ ến khả n ă ng nhận đ ịên tử. 2.2 TIẾP GIÁP P-N VÀ DIODE 1. Tiếp giáp P-N - Trong tinh thể bán dẫn Si hay Ge đư ợc chế tạo thành vùng bán dẫn N (pha P) và vùng bán dẫn P (pha In) thì trong tinh thể bán đ ẫn hình thành mối nối P-N Anot Ktot P N Anot Ktot P N Trong vùng bán dẫn P có nhiều lỗ trống Trong vùng bán dẫn N có nhiều đ iện tử thừa Khi hai vùng này tiếp xúc với nhau sẽ có một số đ iện tử vùng N qua mối nối và tái hợp với lỗ trống vùng P. Khi bán dẫn N mất đ iện tử thì vùng bán dẫn N gần mối nối trở thành Ion d ươ ng Vùng P nhận đ iện tử nên vùng P gần mối nối trở thành Ion âm Ion d ươ ng của N và Ion d ươ ng của P đ ẩy đ iện tử và lỗ trống ra xa tạo thành hàng rào đ iện thế Một bên mang đ iện d ươ ng (Anot), một bên mang đ iện âm (Ktot). Nguyên lí làm việc của đ i ốt tiếp mặt: Phân cực thuận o o - + .. Nối d ươ ng nguồn vào A và âm nguồn vào K của đ i ốt đ iện tích d ươ ng của nguồn sẽ đ ẩy các lỗ trống trong vùng P và đ iện tích âm của nguồn sẽ đ ẩy các đ iện tử trong vùng N đ iện tử và lỗ trống lại gần mối nối h ơ n và khi lực đ ẩy tĩnh đ iện đ ủ lớn, đ iện tử từ N sẽ qua mối nối sang P tái hợp với lỗ trống . Khi vùng N mất đ iện tử trở thành mang đ iện d ươ ng thì vùng N sẽ kéo đ iện tích âm từ cực âm nguồn lên thế chỗ Khi vùng P nhận đ iện tử trở thành mang đ iện tích âm thì cực d ươ ng nguồn sẽ kéo đ iện tích âm từ vùng P về. Nh ư vậy sẽ có dòng đ iện tử chạy liên tục từ cực âm của nguồn qua đ i ốt (từ N sang P) về cực d ươ ng của nguồn, nghĩa là có dòng đ iện qua đ i ốt từ P sang N (I thuận). b. Ph©n cùc ng­îc P N Ucc Ucc D + + - - Nối âm nguồn vào A D ươ ng nguồn vào K của đ i ốt đ iện tích âm của nguồn sẽ hút các lỗ trống trong vùng P đ iện tích d ươ ng của nguồn sẽ hút các đ iện tử trong vùng N đ iện tử và lỗ trống ra xa mối nối h ơ n Sự tái hợp giữa đ iện tử với lỗ trống càng khó kh ă n h ơ n. Tuy nhiên trong vùng N cũng có một số ít lỗ trống Trong vùng P cũng có một số ít đ iện tử (hạt thiểu số) Sinh ra hiện t ư ợng tái hợp tạo nên dòng đ iện rò rất nhỏ khoảng nA (I ng ư ợc) Do dòng đ iện này rất nhỏ nên ng ư ời ta coi đ i ốt không dẫn đ iện khi phân cực ng ư ợc. Đặc tính và thông số kĩ thuật của đ i ốt: Đặc tuyến vôn am pe PHÂN CỰC THUẬN Đ I ỐT RỒI T Ă NG DẦN Đ IỆN THẾ TỪ 0 LÊN KHI Đ ẠT TRỊ SỐ Đ IỆN THẾ LÀ VD = V  VD = V  THỠ BẮT Đ ẦU CÓ DÒNG Đ IỆN QUA Đ I ỐT. V  GỌI LÀ Đ IỆN THẾ THỀM HAY Đ IỆN THẾ NG Ư ỠNG VỚI SI THỠ V  = 0.4 Đ ẾN 0.5 V, VỚI GE LÀ 0.1 Đ ẾN 0.15V Khi qua đ iện thế ng ư ỡng dòng đ iện t ă ng nhanh theo hàm số mũ ta vẽ đư ợc đ ặc tuyến thuận. Khi phân cực ng ư ợc và t ă ng dần đ iện áp từ 0 lên theo trị số âm chỉ có dòng đ iện rò rất nhỏ qua đ i ốt - Nếu t ă ng cao mức đ iện áp ng ư ợc đ ến một trị số khá cao thì dòng đ iện qua đ i ốt t ă ng vọt ( đ i ốt bị đ ánh thủng), ta vẽ đư ợc đ ặc tuyến ng ư ợc. *Các thông số kĩ thuật: Điện áp ng ư ợc cực đ ại (U R max): Là đ iện áp ng ư ợc tức thời lớn nhất đ ặt vào mà không đ ánh thủng đ i ốt. Dòng đ iện ng ư ợc cực đ ại (Is): Là dòng đ iện xác dịnh ở đ iện áp ng ư ợc cực đ ại (th ư ờng từ 100  A đ ến 3 mA). - Dòng đ iện thuận cực đ ại (I F max): Là dòng đ iện lớn nhất có thể qua đ i ốt mà không làm thay đ ổi các đ ặc tính của nó. Khoảng nhiệt đ ộ làm việc là khoảng nhiệt đ ộ mà đ i ốt còn làm việc bình ổn đ ịnh Với Ge từ –60 đ ến + 70  với Si có thể đ ến 150  . 3. Các loại đ i ốt khác: - Đi ốt ổn áp (Zene): + Kí hiệu: Dz + Th ư ờng đư ợc chế tạo từ Si có nồng đ ộ pha trộn tạp chất cao h ơ n đ i ốt th ư ờng và đư ợc mắc trong mạch đ iện theo kiểu phân cực ng ư ợc, làm nhiệm vụ ổn áp. Đi ốt phát quang (LED): + Kí hiệu: LED + Khi có dòng đ iện chạy qua thì phát sáng, dùng trong các mạch chỉ thị, báo hiệu. - Đi ốt quang đ iện: + Kí hiệu: D + Khi có ánh sáng chiếu vào sẽ sinh ra dòng đ iện + Dùng trong các hệ thống tự đ ộng đ iều khiển theo ánh sáng, báo đ ộng cháy. - Đi ốt tách sóng: + Đi ốt tách sóng có kí hiệu nh ư đ i ốt th ư ờng nh ư ng vỏ bên ngoài là thuỷ tinh trong suốt + Dùng đ ể tách sóng dòng đ iện xoay chiều tần số cao. Đi ốt biến dung: + Kí hiệu: C D + Là đ i ốt có đ iện dung thay đ ổi theo đ iện áp đ ặt vào + đ i ốt biến dung đư ợc ứng dụng nh ư tụ đ iện biến đ ổi đ ể thay đ ổi tần số cộng h ư ởng. 2.3 Các mạch ứng dụng dùng đ iốt bán dẫn 1 . Mạch chỉnh l ư u nửa sóng ( nửa chu kỳ) Uo= 2. Mạch chỉnh l ư u toàn sóng ( 2 nửa chu kỳ) a) Tr ư ờng hợp 1 : tải đ iện trở Rt b) Tr ư ờng hợp 2 : Mắc tụ C song song với Rt Giản đ ồ thời gian CH ƯƠ NG 3. TRANSISTOR L Ư ỠNG CỰC BJT3.1 CẤU TẠO, CÁCH MẮC, CHẾ Đ Ộ LÀM VIỆC 1. Cấu tạo của tranzito l ư ỡng cực: (BJT) Cấu tạo: - BJT là một hệ thống bao gồm 3 lớp bán dẫn tiếp xúc xen kẽ với nhau tạo nên 2 loại tranzito thuận PNP và tranzito ng ư ợc NPN P N P Tranzito thuận PNP Emit ơ Baz ơ Colect ơ N P N Tranzito ng ư ợc NPN Emit ơ Baz ơ Colect ơ - Với 3 cực lần l ư ợt là: + Emit ơ (cực phát) ký hiệu chữ E + Baz ơ (cực gốc) ký hiệu chữ B + Colect ơ (cực góp) ký hiệu chữ C - Mức đ ộ pha trộn tạp chất: + Vùng E mạnh nhất t ươ ng ứng với đ iện trở nhỏ nhất + Vùng B trung bình t ươ ng ứng với đ iện trở vừa phải + Vùng C pha ít nhất t ươ ng ứng với đ iện trở lớn nhất b. Kí hiệu: B C E Tranzito loại PNP B C E Tranzito loại NPN - Ký hiệu trên thân tranzito: + Tranzito thuận PNP th ư ờng dùng chữ A hoặc B cùng các con số đ i kèm VD: A671; A1015 + Tranzito ng ư ợc NPN th ư ờng dùng chữ C hoặc D,H cùng các con số đ i kèm. VD: C1815; C828; H1061 - S ơ đ ồ t ươ ng đươ ng của tranzito với đ iốt D EB D BC E B C D EB D BC E B C Tranzito loại thuận PNP Tranzito loại ng ư ợc NPN 2. Nguyên lí làm việc của tranzito - Tranzito có 4 chế đ ộ làm việc + Điốt DEB mở, đ iốt DBC khoá: Chế đ ộ khuếch đ ại + Điốt DEB khoá, đ iốt DBC mở: Chế đ ộ đ ảo + Điốt DEB và đ iốt DBC cùng mở: Chế đ ộ bão hoà + Điốt DEB và đ iốt DBC cùng khoá: Chế đ ộ cắt dòng *Phân tích chế đ ộ khuếch đ ại của tranzito loại NPN - Mắc mạch đ iện nh ư hĩnh vẽ: V C >V B . V B >V E ; + Điốt D EB mở và đ iốt D BC khoá. N P N C B E U BE U CC - + - + - Tiếp giáp PN của BE mở các electron (e) từ N của cực E sang vùng P của cực B, một phần về d ươ ng nguồn U BE tạo thành dòng I B . - Vì V C > V B nên phần lớn e v ư ợt qua tiếp giáp PN của BC về d ươ ng nguồn U CC tạo thành dòng IC. - Bán dẫn N của cực E bị mất e nên sẽ hút e của âm nguồn tới thay thế tạo thành dòng I E 3. Các thông số kĩ thuật: Từ mạng đ ặc tuyến của tranzito ta tính đư ợc các thông số kĩ thuật c ơ bản sau: + Điện trở vào: Rv = Uv/Iv = Ub/Ib + Điện trở ra: Rr = Ur/Ir = Uc/Ic + Hỗ dẫn: S = Ir/Uv = Ic/Ub + Hệ số khuếch đ ại đ iện áp: Ku = Ur/Uv = Uc/Ub + Hệ số khuếch đ ại dòng đ iện:  = Ir/Iv = Ic/Ib + Hệ số khuếch đ ại công suất: Kp = Pr/Pv 4. ứng dụng của BJT BJT đư ợc ứng dụng rộng rãi trong ngành đ iện và đ iện tử Thực hiện đư ợc rất nhiều chức n ă ng nh ư ng chủ yếu là khuếch đ ại, chuyển mạch, ổn áp... 3.2 PHÂN CỰC CHO BJT Mạch phân cực c ơ bản - Nguồn U BB cung cấp đ iện áp phân cực thuận cho tiếp giáp BE đ ể đ ạt đư ợc U BE = 0,7V R B đ ể chọn dòng cực baz ơ I B . Nguồn U CC cung cấp đ iện áp phân cực ng ư ợc cho tiếp giáp BC với đ iện trở R C đ ể hạn chế dòng colect ơ I C . Với tranzito loại npn ta cần đ ạt đư ợc đ iều kiện U C > U B > U E Với BJT loại pnp cần có U C < U B < U E ở đ ây U C , U B , U E là các đ iện thế một chiều t ươ ng ứng trên các cực của BJT. 2. Phân cực bằng dòng baz ơ Chỉ dùng 1 nguồn U CC làm cả hai nhiệm vụ phân cực cho baz ơ và colect ơ 3. Phân cực dùng mạch chia áp Ucc Ở Đ ÂY DÙNG CẶP Đ IỆN TRỞ R1, R2 Đ Ể CUNG CẤP Đ IỆN ÁP 1 CHIỀU TỚI CỰC BAZ Ơ 4. Phân cực bằng dòng emit ơ Mạch phân cực bằng dòng I E th ư ờng gặp khi nguồn nuôi 1 chiều có 2 cực tính U CC > 0 và U EE < 0 Loại phân cực này giống nh ư cấu trúc loại dùng bộ chia nhờ có sự tham gia của đ iện trở R E Trong mạch emit ơ thực hiện hồi tiếp âm dòng đ iện 1 chiều nên tính chất ổn đ ịnh của đ iểm công tác Q đ ặc biệt là ổn đ ịnh về nhiệt đư ợc nâng cao rõ rệt. 5. Phân cực kiểu hồi tiếp đ iện áp Điện trở R B thay vì nối tới nguồn U CC , nh ư mạch phân cực bằng dòng baz ơ thì lại đư ợc nối tới colect ơ . Có thể coi đ ây là một dạng cải tiến của kiểu phân cực bằng dòng I B Tuy nhiên nhờ có đư ờng liên hệ trực tiếp qua R B từ cực C về cực B cả thành phần 1 chiều và xoa chiều tức là có thực hiện hồi tiếp âm về đ iện áp 1 chiều nên chất l ư ợng ổn đ ịnh của đ iểm làm việc một chiều Q đư ợc nâng cao rõ rệt. Giả thiết  dc t ă ng khi nhiệt đ ộ t ă ng, => I C t ă ng => U RC t ă ng Điện áp U CE = U CC - I C giảm và U RB giảm Do đ ó I B giảm => I C giảm và qua 1 vòng (hồi tiếp) dòng I C đ ã đư ợc bù kiểu ng ư ợc pha và đ iểm làm việc Q nhờ đ ó đư ợc ổn đ ịnh tốt h ơ n tr ư ớc đ ây Trong tr ư ờng hợp ng ư ợc lại, giả thiết  dc giảm, quá trình dẫn tới dòng I C t ă ng bù lại trạng thái ban đ ầu I C giảm do  dc giảm 6. Phân cực đ ảo Chế đ ộ phân cực đ ảo đư ợc sử dụng khi cần phân cực cho BJT loại pnp bằng 1 nguồn U CC cực tính d ươ ng Phù hợp với môi tr ư ờng làm việc của nhiều BJT khác loại npn mà không cần phải dùng nguồn nuôi cực tính âm riêng cho loại pnp. - Chú ý đ ảm bảo đ iều kiện U BE = - 0,7V; U CE < 0 đ ể BJT làm việc ở chế đ ộ khuếch đ ại thông th ư ờng. 3.3 CÁC MẠCH ỨNG DỤNG CỦA BJT 3.1.1 Tầng khuếch đ ại mắc emit ơ chung (Ec) Mạch đ iện Tác dụng linh kiện + C vào , C ra : Tụ dẫn tín hiệu từ tầng tr ư ớc vào và dẫn tín hiệu ra tầng sau (tụ nối tầng) + C E : Tụ chống hồi tiếp âm + R 1 , R 2 : Điện trở phân áp đ ịnh thiên cho Q làm việc + R C : Điện trở hạn chế dòng I C + R E : Điện trở ổn đ ịnh nhiệt + Q: Transistor khuếch đ ại tín hiệu Đặc đ iểm + Cực E vừa nằm ở mạch vào vừa nằm ở mạch ra nên đư ợc gọi là mạch E chung + R vào = 1 – 3 k + R ra R C + Hệ số khuếch đ ại dòng (ki) t ươ ng đ ối lớn + Hệ số khuếch đ ại áp (k U ) t ươ ng đ ối lớn (từ 100-200) + Tín hiệu vào và tín hiệu ra ng ư ợc pha nhau hay ta nối mạch E C gây đ ảo pha tín hiệu Đặc tuyến ra. 7 mA 6 mA 5mA 4 mA 3mA 2mA I E =1mA I E =0 mA U CB (V) Vùng bão hoà Vùng cắt Vùng tích cực 1 5 10 15 20 0 0 2 3 4 5 7 6 1 I C (mA) Vùng đ ánh thủng. 2 3 4 5 I E (mA) U CB =15V U CB =5V Đặc tuyến truyền đ ạt. - Đặc đ iểm + Điện trở vào t ươ ng đ ối lớn (vài chục K ) + Trở kháng đ ầu vào lớn 3.3.2 Tầng khuếch đ ại mắc colect ơ chung (C C ) Mạch đ iện H×nh 4.10 : S¬ ®å c¸ch m¾c CC. (a): tranzito NPN, (b): tranzito PNP I E I B I C (a) E B C U v U r I E I B I C (b) E B C U v U r + Trở kháng đ ầu ra nhỏ (nhỏ h ơ n 100 ) + Hệ số khuếch đ ại đ iện áp ku < 1 + Hệ số khuếch đ ại dòng đ iện lớn + Mạch không đ ảo pha tín hiệu Đặc tuyến vào Hình 4.11: Đặc tuyến vào của cách mắc CC . 10 20 30 40 -1 -2 -3 -4 -5 U BC (V) I B (  A) U CE = 2V U CE = 4V 50 60 70 90 80 100 3.3.3 Tầng khuếch đ ại Darlington 4,7K  R3 VR R1 R5 Q2 C2 1uF + Ura R2 Q1 0.47uF 100K  4,7K  A C D B 3.3.4 Tầng khuyếch đ ại mắc Baz ơ chung (Bc) - S ơ đ ồ - Đặc đ iểm + Cực B vừa nằm ở mạch vào vừa nằm ở mạch ra + R vào nhỏ (từ 10 – 50 ) + R ra R E + Hệ số khuếch đ ại đ iện áp ku không lớn lắm + Hệ số khuếch đ ại dòng đ iện ki<1 + Mạch làm việc ổn đ ịnh ở lĩnh vực siêu cao tần + Mạch không đ ảo pha tín hiệu Một LED có: I=20mA, U=1,8V. Để sử dụng ở điện áp 220V phải đấu thêm 1 điện trở. Hãy vẽ sơ đồ đấu và tính toán giá trị điện trở đó. 2. Vẽ mạch phân cực cho BJT dùng mạch chia áp (với BJT PNP)? - Tính toán để U BE = 0,3V? - Đó là mạch B,C,E chung? Vì sao? - Nêu đặc điểm của mạch? CH ƯƠ NG IV. TRANZITO TR Ư ỜNG FET 4.1 CẤU TẠO, TÍNH CHẤT CỦA FET 4.1.1 Cấu tạo của FET Tranzito tr ư ờng JFET (Junction Field Effect Transistor) đư ợc gọi tắt là FET; JFET có hai loại là JFET kênh N và JFET kênh P, đ ều có ba cực là: + Cực máng D (Drain) + Cực nguồn S (Source) + Cực cửa G (Gate) JFET kênh N (hình 4.1a) có cấu tạo gồm một thanh bán dẫn N, hai đ ầu là cực máng D và cực nguồn S, hai bên thanh bán dẫn N là hai vùng bán dẫn loại P tạo thành mối nối P - N nh ư đ i ốt, hai vùng này nối với nhau tạo thành cực G. Cũng có thể đ ể hở cực G1, G2 đ ộc lập. JFET kênh P (hình 4.1b) có cấu tạo t ươ ng tự nh ư ng chất bán dẫn ng ư ợc lại với JFET kênh N. N P P P N N D S G2 G1 D G1 G2 S Hình 4.1 a. JFET kênh N b. JFET kênh P Kí hiệu: JFET kênh N JFET kênh P D S G D S G 4.1.2 Hoạt đ ộng của FET kênh N  Đặt đ iện áp U D d ươ ng vào D, âm vào S sẽ xuất hiện một dòng đ iện tử từ S sang D Đặt tiếp đ iện áp U GS phân cực ng ư ợc cho P-N sẽ tạo nên một kênh dẫn N Tuỳ theo đ iện áp này lớn hay nhỏ mà ta có kênh dẫn nhỏ hay lớn và dòng đ iện tử từ N sang P hay dòng đ iện I D nhỏ hay lớn. N P P e U GS - + +U D - D S G * Đặc tuyến vôn ampe: I D (mA) U DS (V) 0 U P , U P U GS = 0 UGS = -1 UGS = -2 I D (mA) I D0 U GS (V) 0 U GS khãa Hình 4.2a. Đặc tuyến ra b. Đặc tuyến truyền đ ạt Nhận xét: * Đặc tuyến ra có hai vùng rõ rệt, - Vùng 1: Khi U DS < Up’ dòng I D t ă ng theo U DS - Vùng 2: Khi U DS  Up dòng I D không phụ thuộc vào U DS mà chỉ phụ thuộc vào U GS . * Đặc tuyến truyền đ ạt: - Khi U GS = 0 dòng I D = I D0 (cực đ ại) - Khi U GS càng âm thì dòng I D càng giảm, tại U GS khoá I D = 0 4.1.3 Tầng khuếch đ ại của FET 4.2.4 ứng dụng - JFET đư ợc ứng dụng rộng rãi trong nhiều mạch đ iện nh ư : khuếch đ ại, chuyển mạch... đ ặc biệt trong các mạch tích hợp IC. 4.2 CẤU TẠO, TÍNH CHẤT CỦA MOSFET  Tranzito MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) chia làm hai loại là MOSFET kênh liên tục và MOSFET kênh gián đ oạn Mỗi loại kênh liên tục hay gián đ oạn đ ều có phân loại theo chất bán dẫn là kênh N hay kênh P. 4.2.1 Cấu tạo và kí hiệu: - Cấu tạo: MOSFET kênh liên tục là hai vùng bán dẫn N pha nồng đ ộ cao đư ợc nối gần nhau bằng bán dẫn N có nồng đ ộ thấp khuếch tán trên một nền bán dẫn loại P, phía trên kênh dẫn đ iện đư ợc phủ một lớp oxit cách đ iện SiO 2 . - Hai dây dẫn xuyên qua lớp cách đ iện nối vào hai vùng bán dẫn N nồng đ ộ cao tạo thành cực S và D, cực G có tiếp xúc kim loại bên ngoài lớp oxit nh ư ng vẫn cách đ iện với kênh N (hình 23a). - Loại kênh gián đ oạn thì hai vùng bán dẫn N pha nồng đ ộ cao không dính liền nhau nên gọi là kênh gián đ oạn (hình 23b). - Kí hiệu: Kênh liên tục: a kênh N, b kênh P. Kênh gián đ oạn: c kênh N, d kênh P a b c d d d d d G G G G s s s s s g d Nh«m s g d SiO 2 N N Nền P N N Nền P Hình 4.3a Hình 4.3b 2. Đặc tính và ứng dụng* Đặc tính - Đặc tuyến vôn ampe kênh liên tục: I D (mA) I D (mA) I D0 I D0 0 U P U DS (V) U GS (V) U GS khóa 0 U GS > 0 UGS = 0 UGS < 0 Hình 4.4 a. Đặc tuyến ra b. Đặc tuyến truyền đ ạt Nhận xét: Khi UGS = 0 kênh dẫn có tác dụng nh ư một đ iện trở, khi t ă ng UDS thì dòng ID t ă ng lên đ ến trị số giới hạn IDo. - Khi UGS < 0 kênh dẫn bị thu hẹp dòng ID giảm. - Khi UGS> 0 kênh dẫn mở rộng dòng ID t ă ng. - Đặc tuyến vôn ampe kênh gián đ oạn: I D (mA) I D (mA) 0 U DS (V) 0 U GS (V) U GS = +3 UGS = +2 UGS = +1 Hình 4.5 a. Đặc tuyến ra b. Đặc tuyến truyền đ ạt - Nhận xét: Khi UGS < = 0 kênh dẫn gián đ oạn dòng ID = 0. + Khi UGS > 0 kênh dẫn đư ợc liên tục dòng ID t ă ng. * ứng dụng - Tranzito tr ư ờng MOSFET đư ợc ứng dụng t ươ ng tự nh ư JFET. CH ƯƠ NG 5. CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN KHÁC 5.1 THYRISTOR (SCR), TRIAC, DIAC 5.1.1 THYRISTOR 5.1.1.1 CẤU TẠO Thyristor còn đư ợc viết tắt là SCR (Silicon Controlled Rectifier) là bộ nắn đ iện có đ iều khiển đư ợc làm bằng chất Silicum. SCR gồm có 4 lớp bán dẫn P 1 -N 1 -P 2 -N 2 ghép nối tiếp nhau và đư ợc nối ra 3 cực, Anot (A), Catot (K), Cực cửa (G) P1 N1 P2 N2 A G K A K G S ơ đ ồ cấu tạo S ơ đ ồ t ươ ng đươ ng - Ký hiệu A K G 5.1.1.2 Đặc tính vol - ampe Phân cực thuận (U A >U K ) U G1 >U G0 U G0 =0 Phân cực ng ư ợc UBo UAK I A I H UBr - Khi phân cực ng ư ợc cho SCR thì J G phân cực thuận còn J A và J K phân cực ng ư ợc nên cũng chỉ có dòng rất nhỏ chạy qua. - Khi U G = 0, phân cực thuận cho SCR hai tiếp giáp J A và J K phân cực thuận, J G phân cực ng ư ợc nên chỉ có dòng đ iện rất nhỏ chạy qua. Tiếp tục t ă ng đ iện áp phân cực thuận đ ến đ iện áp đ ỉnh U B0 thì tiếp giáp J G bị “thông” theo hiệu ứng thác dòng I A t ă ng vọt (U B0 th ư ờng khoảng từ 200 đ ến 400v). - Hiệu ứng thác cũng xảy ra khi phân cực ng ư ợc nh ư ng ở mức cao h ơ n U B0 rất nhiều. Khi U G > 0 thì quá trình chuyển đ iểm làm việc sẽ xảy ra sớm h ơ n tr ư ớc khi đ iện áp phân cực thuận đ ạt đ ến U B0 (là các nét đ ứt ứng với các giá trị của dòng đ iều khiển khác nhau, I G0 , I G1 )... Nh ư vậy đ iều kiện mở SCR là U AK > 0 (phân cực thuận) và U G > 0 và khi đ iều khiển dòng đ iện kích mở I G sẽ đ iều khiển đư ợc dòng đ iện I AK . * Chú ý: Khi SCR đ ã mở muốn khoá SCR thì U AK phải bằng 0 hoặc đ ổi dấu. 5.1.1. 3 ứng dụng - SCR đư ợc ứng dụng rộng rãi trong các mạch chỉnh l ư u có đ iều khiển, mạch đ iều khiển tốc đ ộ đ ộng c ơ , mạch còi báo đ ộng, trong trang bị đ iện tự đ ộng hoá... - Mạch đ iều khiển DC, AC dùng thyiristo Mạch đ iều khiển tốc đ ộ đ ộng c ơ dùng 2 SCR 5.1.2 TRIAC 5.1.2.1 CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU Triac đư ợc viết tắt bởi Triod AC (công tắc bán dẫn xoay chiề ba cực), cấu tạo gồm 6 lớp bán dẫn P-N ghép nối tiếp nhau Đ ư ợc nối ra 3 chân T1, T2, G Triac có thể xem nh ư hai SCR ghép song song ng ư ợc chiều nhau sao cho có chung cực G P N P N N N T2 T1 G T2 T1 G T2 T1 G 5.1.2.2 Đặc tính Vol - ampe I U U thủng U thñng I G = 0 I G1 I G2 Khi cực T2 có đ iện áp d ươ ng, cực G đư ợc kích xung d ươ ng, Triac dẫn đ iện theo chiều từ T2 qua T1 Khi T2 có đ iện áp âm, cực G đư ợc kích xung âm Triac dẫn đ iện theo chiều từ T1 qua T2 Nh ư vậy Triac dẫn đ iện theo cả hai chiều khi đ iện áp đ ặt trên cực G cùng cực tính với T2 Trên đ ặc tuyến vôn ampe ta thấy khi ch ư a có đ iện áp kích mở vào cực G thì nếu đ iện áp dặt vào Triac nằm trong khoảng  U thủng thì dòng qua Triac nhỏ Khi có đ iện áp kích mở vào cực G thì Triac mở sớm h ơ n rất nhiều 5.1.2.3 ứng dụng - Triac đư ợc ứng dụng đ ể đ iều khiển tốc đ ộ đ ộng c ơ xoay chiều trong các mạch đ iều khiển đ iện áp xoay chiều Mạch điều khiển điện áp dùng Triac 5.1.3 DIAC 5.1.3.1 CẤU TẠO VÀ KÍ HIỆU DIAC ĐƯ ỢC VIẾT TẮT BỞI DIOD AC (CÔNG TẮC BÁN DẪN XOAY CHIỀU HAI CỰC) CẤU TẠO GỒM BA LỚP BÁN DẪN GHÉP NỐI TIẾP NHAU NH Ư MỘT TRAZITO NH Ư NG CHỈ CÓ HAI Đ ẦU RA LÀ T1 VÀT2 DO TÍNH CHẤT Đ ỐI XỨNG NÊN KHÔNG CẦN PHÂN BIỆT T1 VÀ T2. 5.1.3.2 Đặc tính Vol - ampe Khi đ iện áp phân cực còn nhỏ chỉ có dòng đ iện rò qua Diac Khi đ iện áp t ă ng đ ến  U B0 đ ều xảy ra hiệu ứng thác làm giảm đ iện áp đ ặt trên Diac và dòng đ iện t ă ng nhanh đ ến  I B0 Nh ư vậy Diac có khả n ă ng dẫn đ iện theo cả hai chiều khi đ iện áp đ ặt trên nó   U B0 5.1.3.1 ứng dụng - Diac đư ợc ứng dụng trong các mạch đ iện tự đ ộng khống chế và bảo vệ quá đ iện áp trong mạch đ iện xoay chiều Mạch đ iều khiển tốc đ ộ đ ộng c ơ dùng 2 SCR 5.3 LINH KIỆN QUANG Đ IỆN TỬ 5.3.1 Quang đ iện trở (CdS) Là 1 linh kiện bán dẫn không có lớp chuyển tiếp PN, th ư ờng làm từ loại vật liệu hỗn hợp giữa 2 nguyên tố thuộc nhóm III và nhóm VI trong bảng hệ thống tuần hoàn Mendeleep VD: CdS (Sunfit Cadmi); CdSe (Selenit Cadmi); ZnS (Sunfit kẽm).... - Quang trở chỉ làm việc ở chế đ ộ thụ đ ộng, khi bị chiếu sáng xuất hiện thêm các hạt dẫn tự do (gọi là các quang hạt đ iện tử hay lỗ trống) làm đ ộ dẫn đ iện của các lỗ trống gia t ă ng. - Quang trở đư ợc sử dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực nh ư : tự đ ộng tắt mở (công tắc ánh sáng), đ iều chỉnh đ ộ hội tụ trong máy chiếu phim, đ o ánh sáng ở trong các máy chụp hình, tự đ ộng dừng trong máy ghi âm, ghép quang học, biến đ ổi tín hiệu quang - đ iện.... Ký hiệu: - Các đ ặc tính quan trọng của quang trở: + Độ dẫn quang đ iện + Độ nhạy quang theo b ư ớc sóng ánh sáng chiếu vào + Tốc đ ộ làm việc: thời gian cần thiết đ ể quang trở thay đ ổi 65% giá trị của mình khi chuyển từ chế đ ộ đư ợc chiếu sáng sang chế đ ộ tối (không đư ợc chiếu sáng) hay ng ư ợc lại từ chế đ ộ tối sang chế đ ộ sáng + Điện trở lúc tối của quang đ iện trở + Hệ số nhiệt đ iện trở của quang trở (nhiễu nhiệt đ ộ) làm ảnh h ư ởng tới giá trị của đ iện trở quang khi c ư ờng đ ộ chiếu sáng là không đ ổi. - Mạch đ iện ứng dụng của quang trở * Mạch tự đ ộng đ óng cắt đ èn chiếu sáng công cộng 5.3.2 Phôtô đ iốt Cấu tạo giống đ iốt th ư ờng là có 1 tiếp xúc bán dẫn pn Tuy nhiên lớp chuyển tiếp pn này đư ợc chiếu sáng sẽ phát sinh ra 1 đ iện áp trên nó Khi nối với mạch ngoài sẽ đư ợc 1 dòng quang đ iện có đ ộ lớn phụ thuộc tỷ lệ với c ư ờng đ ộ chiếu sáng Tức là phôtô đ iốt đ ã thực hiện 1 quá trình biến đ ổi n ă ng l ư ợng quang thành n ă ng l ư ợng đ iện. - Ký hiệu: 5.3.3 Phôtô transistor - Cấu tạo photo transistor có thể coi là sự kết hợp 1 phôtô đ iôt và 1 transistor khuếch đ ại dòng quang đ iện Lớp chôn Epitaxi - Ký hiệu: - Đặc đ iểm so với PD: + Làm việc chậm h ơ n + Tần số làm việc cao nhất đ ạt tới vài tr ă m kHz (ở PD đ ến MHz) + Độ nhạy với ánh sáng cao h ơ n PD (hàng tr ă m lần) CH ƯƠ NG 6. KHỐI NGUỒN VÀ ỔN ÁP 6.1 Nguồn nôi và vai trò của nó trong kỹ thuật đ iện - đ iện tử 6.1.1 Nguồn nôi - Trong kỹ thuật đ iện - đ iện tử có những linh kiện đ iện tử bán dẫn, do vậy phải có nguồn 1 chiều đ ể duy trì sự hoạt đ ộng của các linh kiện (nguồn nôi) - Nguồn nôi là nguồn 1 chiều (DC) + Chỉnh l ư u từ nguồn xoay chiều (công suất lớn) + Pin, ác quy (công suất nhỏ) - Tuỳ thuộc vào thiết bị sử dụng đ iện (phụ tải) yêu cầu chất l ư ợng nguồn mà có: + Nguồn chỉ cần chỉnh l ư u (ác quy) + Nguồn chỉnh l ư u có lọc (radio) + Nguồn chỉnh l ư u có lọc, có ổn áp (cassete, ti vi, các thiết bị số...) + Nguồn chỉnh l ư u có lọc, có ổn áp, có đ iều chỉnh (các thiết bị trong phòng thí nghiệm,...) 6.1.2 Vai trò của nguồn nôi - Là khối đ ặc biệt quan trọng - Duy trì sự hoạt đ ộng cho các linh kiện đ iện tử, bán dẫn - Quyết đ ịnh sự làm việc hay không của thiết bị - Quyết đ ịnh chất l ư ợng làm việc của thiết bị - Quyết đ ịnh đ ộ bền (tuổi thọ) của thiết bị - Quyết đ ịnh chất l ư ợng sản phẩm mà thiết bị làm ra 6.2 NGUỒN NUÔI ỔN ÁP ĐƠ N GIẢN SỬ DỤNG DIODE ZENER 6.2.1 S ơ đ ồ 6.2.2 Nguyên lý hoạt đ ộng - Khi đ iện áo vào t ă ng - Khi đ iện áp vào giảm 6.3 NGUỒN NUÔI ỔN ÁP SỬ DỤNG TRANSISTOR BJT  6.3.1 Mạch dùng 1 transistor 6.3.2 Mạch dùng 2 transistor 6.3.2 Mạch dùng 3 trasistor 6.4 NGUỒN NUÔI ỔN ÁP SỬ DỤNG VI MẠCH REGULATOR 6.4.1 Mạch ổn áp dùng IC7805 6.4.1 Mạch ổn áp đ iều chỉnh dùng IC LM317